TPIC6B596
电源 逻辑 8-有点 轮班 注册
slis095 – march 2000
1
post 办公室 框 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
d
低 右
ds(开启)
...5
Ω
d
雪崩 能源 ...30 mj
d
八 电源 dmos-晶体管 产出 的
150-ma 连续 电流
d
500-ma 典型 限流 能力
d
输出 卡箍 电压 . . . 50 v
d
增强型 层叠 用于 多个 阶段
d
全部 寄存器 已清除 与 单独 输入
d
低 电源 消费
描述
这 tpic6b596 是 一个 单片, 高-电压,
中-电流 电源 8-有点 轮班 注册
设计 用于 使用 入点 系统 那 需要 相对而言
高 荷载 电源. 这 设备 包含 一个 内置
电压 卡箍 开启 这 产出 用于 归纳
瞬态 保护. 电源 驾驶员 应用程序
包括 继电器, solenoids, 和 其他 中-
电流 或 高电压 荷载.
这个 设备 包含 一个 8-有点 串行-入点, 平行-出点
轮班 注册 那 饲料 一个 8-有点 d-类型 存储
注册. 数据 转让 通过 两者都有 这 轮班 和
存储 寄存器 开启 这 上升 边缘 的 这
移位寄存器 时钟 (srck) 和 这 注册 时钟
(rck), 分别. 这 存储 注册
转让 数据 至 这 输出 缓冲区 当 轮班-
注册 清除 (srclr
) 是 高. 当 srclr是
低, 全部 寄存器 入点 这 设备 是 已清除. 当
输出 启用 (g) 是 持有 高, 全部 数据 入点 这
输出 缓冲区 是 持有 低 和 全部 排水管 产出 是
关. 当 g
是 持有 低, 数据 从 这 存储
注册 是 透明 至 这 输出 缓冲区. 当
数据 入点 这 输出 缓冲区 是 低, 这 dmos-
晶体管 产出 是 关. 当 数据 是 高, 这
dmos-晶体管 产出 有 灌电流 能力. 这 串行 输出 (ser 出点) 是 时钟 出点 的 这 设备
开启 这 坠落 边缘 的 srck 至 提供 附加 保持 时间 用于 级联 应用程序. 这个 将 提供 改进
业绩 用于 应用程序 在哪里 时钟 信号 将 是 偏斜, 设备 是 不 位于 近 一个 另一个,
或 这 系统 必须 容忍 电磁 干扰.
产出 是 低-侧面, 开漏极 dmos 晶体管 与 输出 额定值 的 50 v 和 150-ma 连续 水槽-
电流 能力. 每个 输出 提供 一个 500-ma 典型 电流 限制 在 t
c
= 25
°
c. 这 电流 限制 减少
作为 这 接合点 温度 增加 用于 附加 设备 保护.
这 tpic6b596 是 表征 用于 操作 结束 这 操作 案例 温度 范围 的 –40
°
c 至 125
°
c.
版权
2000, 德州 仪器仪表 股份公司
生产 数据 信息 是 电流 作为 的 出版物 日期.
产品 符合 至 规格 按 这 条款 的 德州 仪器仪表
标准 保修. 生产 加工 是否 不 必然 包括
测试 的 全部 参数.
请 是 意识到 那 一个 重要 通知 关于 可用性, 标准 保修, 和 使用 入点 关键 应用程序 的
德州 仪器仪表 半导体 产品 和 免责声明 对此 出现 在 这 结束 的 这个 数据 工作表.
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nc
v
抄送
ser 入点
DRAIN0
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DRAIN2
DRAIN3
SRCLR
g
地
nc
地
ser 出点
DRAIN7
DRAIN6
DRAIN5
DRAIN4
SRCK
RCK
地
dw 或 n 包装
(顶部 查看)
逻辑 符号
†
2
SRG8
†
这个 符号 是 入点 符合 与 ansi/ieee 标准 91-1984
和 iec 出版物 617-12.
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8
13
3
EN3
C2
右
C1
1D
g
RCK
SRCLR
SRCK
ser 入点
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DRAIN0
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN3
DRAIN4
DRAIN5
DRAIN6
DRAIN7
ser 出点
2
nc – 否 内部 连接
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