tps1120, tps1120y
双 p沟道 增强模式 mosfets
slvs080a – march 1994 – 修订 8月 1995
1
post 办公室 框 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
d
低 右
ds(开启)
. . . 0.18
Ω
在 v
gs
= –10 v
d
3-v 兼容
d
需要 否 外部 v
抄送
d
ttl 和 cmos 兼容 输入
d
v
gs(th)
= –1.5 v 最大值
d
esd 保护 向上 至 2 kv 按
密耳-标准-883c, 方法 3015
描述
这 tps1120 包含 两个 独立
p沟道 增强模式 mosfets 那
有 被 优化, 由 手段 的 这 德州
仪器仪表 linbicmos
流程, 用于 3-v 或 5-v
电源 分布 入点 电池供电 系统. 与 一个 最大值 v
gs(th)
的 –1.5 v 和 一个 我
DSS
的 仅 0.5
µ
一个,
这 tps1120 是 这 理想 高侧 开关 用于 低电压 便携式 蓄电池-管理 系统, 在哪里
最大化 蓄电池 生活 是 一个 主要 关注. 因为 便携式 设备 是 潜在的 主题 至 静电
放电 (esd), 这 mosfets 有 内置 电路 用于 2-kv esd 保护. 结束 设备 用于 这 tps1120
包括 笔记本 计算机, 个人 数字 助理 (pdas), 细胞 电话, 酒吧-代码 scanners, 和
pcmcia 卡片. 用于 现有 设计, 这 tps1120d 有 一个 引出线 普通 与 其他 p沟道 mosfets 入点
小轮廓 综合 电路 soic 软件包.
这 tps1120 是 表征 用于 一个 操作 接合点 温度 范围, t
j
, 从 –40
°
c 至 150
°
c.
可用 选项
已打包 设备
†
芯片 窗体
t
j
小 大纲
(d)
芯片 窗体
(y)
–40
°
c 至 150
°
c TPS1120D TPS1120Y
†
这 d 包装 是 可用 录音 和 卷线. 添加 一个 右 后缀 至 设备
类型 (e?.g., tps1120dr). 这 芯片 窗体 是 已测试 在 25
°
c.
注意事项. 这个 设备 包含 电路 至 保护 其 输入 和 产出 反对 损伤 到期 至 高 静态 电压 或 静电
字段. 这些 电路 有 被 合格 至 保护 这个 设备 反对 静电 放电 (esd) 的 向上 至 2 kv 根据 至
密耳-标准-883c, 方法 3015; 然而, 它 是 建议 那 注意事项 是 已拍摄 至 避免 应用程序 的 任何 电压 较高 比
最大额定值 电压 至 这些 高阻抗 电路.
linbicms 是 一个 商标 的 德州 仪器仪表 股份公司.
版权
1995, 德州 仪器仪表 股份公司
生产 数据 信息 是 电流 作为 的 出版物 日期.
产品 符合 至 规格 按 这 条款 的 德州 仪器仪表
标准 保修. 生产 加工 是否 不 必然 包括
测试 的 全部 参数.
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8
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5
1SOURCE
1GATE
2SOURCE
2GATE
1DRAIN
1DRAIN
2DRAIN
2DRAIN
d 包装
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