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资料编号:658752
 
资料名称:AS7C33128FT36B-75TQCN
 
文件大小: 416.65K
   
说明
 
介绍:
3.3V 128K x 32/36 Flow Through Synchronous SRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
二月 2005
版权 © alliance 半导体. 全部 权利 保留.
AS7C33128FT32B
3.3v 128k
×
32/36 流量 通过 同步 sram
®
2/8/05; v.1.2
alliance 半导体
p. 1 的 19
AS7C33128FT36B
特点
组织机构: 131,072 字词 × 32 或 36 比特
•fast oe
访问权限 时间: 3.5/4.0 ns
完全 同步 流量 通过 操作
异步 输出 启用 控制
可用 入点 100-管脚 tqfp 包装
个人 字节 写 和 全球 写
多个 芯片 启用 用于 容易 扩展
3.3v 核心 电源 供应
2.5v 或 3.3v 我/o 操作 与 分开 v
DDQ
线性 或 交错 突发 控制
贪睡 模式 用于 减少 电源 备用
普通 数据 输入 和 数据 产出
选择 指南
–65 -75 -80 -10 单位
最小值 循环 时间 7.5 8.5 10 12 ns
最大值 时钟 访问权限 时间 6.5 7.5 8.0 10.0 ns
最大值 操作 电流 275 250 215 185 ma
最大值 备用 电流 90 85 75 75 ma
最大值 cmos 备用 电流 (直流) 30 30 30 30 ma
逻辑 块 图表
Q0
Q1
128k × 32/36
记忆
阵列
突发 逻辑
clk
clr
ce
地址
DQ
ce
clk
DQ
d
clk
DQ
字节 写
寄存器
注册
DQ
c
clk
DQ
字节 写
寄存器
DQ
b
clk
DQ
字节 写
寄存器
DQ
一个
clk
DQ
字节 写
寄存器
启用
clk
DQ
注册
启用
clk
DQ
延迟
注册
ce
输出
缓冲区
输入
寄存器
电源
向下
dq[a:d]
4
36/32
191719
19
GWE
BWE
BW
d
adv
ADSC
ADSP
clk
CE0
CE1
CE2
BW
c
BW
b
BW
一个
oe
ZZ
LBO
oe
clk
36/32
36/32
一个
[18:0]
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