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资料编号:659793
 
资料名称:ACT-S128K32C-020P6M
 
文件大小: 398K
   
说明
 
介绍:
High Speed 4 Megabit SRAM Multichip Module
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
eroflex 电路 技术 - 高级 多芯片 模块 © scd1659 rev e? 5/21/01
128Kx8
128Kx8 128Kx8 128Kx8
ce
4
oe
一个
0
– 一个
16
我/o
0-7
我/o
8-15
我/o
16-23
我/o
24-31
8888
ce
3
我们
ce
1
ce
2
图表 – pga 类型 包装(p2,p7) &放大器; cqfp(f2,f18)
128Kx8 128Kx8 128Kx8 128Kx8
ce
4
oe
一个
0
一个
16
我/o
0-7
我/o
8-15
我/o
16-23
我/o
24-31
8888
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3
我们
4
我们
3
我们
2
我们
1
ce
1
ce
2
图表 – cqfp(f1)
管脚 描述
我/o
0-31
数据 我/o
一个
0–16
地址 输入
我们
1–4
写 启用
ce
1–4
芯片 启用
oe
输出 启用
v
抄送
接地
nc 不 已连接
管脚 描述
我/o
0-31
数据 我/o
一个
0–16
地址 输入
我们 写 启用
ce
1–4
芯片 启用
oe
输出 启用
v
抄送
接地
nc 不 已连接
概述 描述
这 act–s128k32 是 一个 高
速度 4 兆位 cmos sram
多芯片 模块 (mcm)
设计 用于 已满 温度
范围, 军事, 空间, 或 高
可靠性 质量 记忆 和
快 高速缓存 应用程序.
这 mcm 可以 是 有组织的
作为 一个 128k x 32 比特, 256k x 16
比特 或 512k x 8 比特 设备 和
是 输入 和 输出 ttl
兼容. 写作 是 处决
当 这 写 启用 (我们)
和 芯片 启用 (ce) 输入 是
低. 阅读 是 已完成
当 我们 是 高 和 ce 和
输出 启用 (oe) 是 两者都有
低. 访问权限 时间 等级 的
17ns, 20ns, 25ns, 35ns, 45ns
和 55ns 最大值 是
标准.
这 +5 电压 电源 供应
版本 是 标准 和 这
+3.3 电压 低 电源 型号 是
可用 (请参见 act-s128k32v
数据 工作表).
这 产品 是 设计 用于
操作 结束 这 温度
范围 的 -55°c 至 +125°c 和
屏蔽 下 这 已满 军事
环境. desc 标准
军事 图纸 (smd) part
编号 是 释放 和
可用.
这 act-s128k32 是
已制造 入点 aeroflex’s
80,000ft
2
密耳-prf-38534
cer已认证 设施 入点 plainview,
n.y.
特点
4 低 电源 cmos 128k x 8 srams 入点 一个 mcm
总体 配置 作为 128k x 32
输入 和 输出 ttl 兼容
17, 20, 25, 35, 45 & 55ns 访问权限 times, 15ns 可用 由 特殊 订单
已满 军事 (-55°c 至 +125°c) 温度 范围
+5v 电源 供应
选择 的 7 密封 密封 共烧 软件包:
68–lead, 低 配置文件 cqfp (f1), 1.56"sq x .140"最大值
68–lead, 双-cavity cqfp (f2), .88"sq x .20"max (.18"max 厚度
可用, 联系人 工厂 用于 详细信息)
(滴剂 进入 这 68 铅 电子元件工业联合会 .99"sq
cqfj 占地面积)
68–lead, 单独-cavity cqfp (f18), .94"sq x .140"max
(滴剂 进入 这 68
铅 电子元件工业联合会 .99"sq cqfj 占地面积)
66–lead, pga-类型 (p2,p6 与/无 shoulders), 1.185"sq x .245"max
66–lead, pga-类型 (p7,p3 与/无 shoulders), 1.08"sq x .160"max
内部 解耦 电容器
desc smd# 5962–93187 释放 (p2,p3,p6,p7)
5962–95595 释放 (f1,f2,f18)
电路 技术
www.aeroflex.com
act-s128k32 高 速度
4 兆位 sram 多芯片 模块
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