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资料编号:659954
 
资料名称:ACTS00HMSR
 
文件大小: 85.89K
   
说明
 
介绍:
Radiation Hardened Quad 2-Input NAND Gate
 
 


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提醒: 这些 设备 是 敏感的 至 静电的 释放; follow 恰当的 ic 处理 程序.
http://www.intersil.com 或者 407-727-9207
|
版权
©
intersil 公司 1999
ACTS00MS
辐射 硬化
四方形 2-输入 与非 门
特性
1.25 micron 辐射 hardened sos cmos
总的 剂量 300k rad (si)
单独的 事件 upset (seu) 免除
<1 x 10
-10
errors/位-日 (典型值)
seu let 门槛 >80 mev-cm
2
/mg
剂量 比率 upset >10
11
rad (si)/s, 20ns 脉冲波
获得-向上 自由 下面 任何 情况
军队 温度 范围: -55
o
c 至 +125
o
C
significant 电源 减少 对照的 至 alsttl 逻辑
直流 运行 电压 范围: 4.5v 至5.5v
输入 逻辑 水平
- vil = 0.8v 最大值
- vih = vcc/2v 最小值
输入 电流
1
µ
一个 在 vol, voh
描述
这 intersil acts00ms 是 一个 辐射 硬化 四方形 2-输入 与非
门. 一个 高 逻辑 水平的 在 两个都 输入 forces 这 输出 至 一个 逻辑 低
状态.
这 acts00ms 运用 先进的 cmos/sos 技术 至
达到 高-速 运作. 这个 设备 是 一个 成员 的 这 radia-
tion 硬化, 高-速, cmos/sos 逻辑 家族.
april 1995
规格 号码
518822
文件 号码
3564.1
Pinouts
14 含铅的 陶瓷的 双-在-线条
mil-标准-1835 designator, cdip2-t14, 含铅的 完成 c
顶 视图
14 含铅的 陶瓷的 flatpack
mil-标准-1835 designator, cdfp3-f14, 含铅的 完成 c
顶 视图
A1
B1
Y1
A2
B2
Y2
VCC
B4
A4
Y4
B3
A3
Y3
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
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A1
B1
Y1
A2
B2
Y2
VCC
B4
A4
Y4
B3
A3
Y3
真实 表格
输入 输出
一个 Bn Yn
LLH
LHH
HLH
HHL
便条: l = 逻辑 水平的 低, h = 逻辑 水平的 高
函数的 图解
一个
Bn
Yn
订货 信息
部分 号码 温度 范围 放映 水平的 包装
ACTS00DMSR -55
o
c 至 +125
o
C intersil 类 s 相等的 14 含铅的 sbdip
ACTS00KMSR -55
o
c 至 +125
o
C intersil 类 s 相等的 14 含铅的 陶瓷的 flatpack
acts00d/样本 +25
o
C 样本 14 含铅的 sbdip
acts00k/样本 +25
o
C 样本 14 含铅的 陶瓷的 flatpack
ACTS00HMSR +25
o
C 消逝 消逝
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