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资料编号:672881
 
资料名称:UMC3NT1
 
文件大小: 87.61K
   
说明
 
介绍:
Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors
 
 


: 点此下载
 
1
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组件 行业, llc, 2004
九月, 2004 − rev. 5
1
出版物 订单 号码:
umc2nt1/d
umc2nt1, umc3nt1,
UMC5NT1
首选 设备
双 普通
base−collector 偏差
电阻 晶体管
npn 和 pnp 硅 表面 安装
晶体管 与 单片 偏差
电阻 网络
这 偏差 电阻 晶体管 (brt) 包含 一个 单独 晶体管 与
一个 单片 偏差 网络 由 的 两个 电阻; 一个 系列 底座
电阻 和 一个 base−emitter 电阻. 这些 数字 晶体管 是
网络. 这 brt 消除 这些 个人 组件 由
集成 他们 进入 一个 单独 设备. 入点 这 umc2nt1 系列, 两个
互补 brt 设备 是 已安置 入点 这 sot−353 包装
哪个 是 理想 用于 低 电源 表面 安装 应用程序 在哪里 板
空间 是 在 一个 保费.
特点
pb−free 软件包 是 可用
简化了 电路 设计
减少 板 空间
减少 组件 计数
可用 入点 8 mm, 7 英寸/3000 单位 胶带 和 卷轴
最大值 额定值
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 已注明, 普通 用于 q
1
和 q
2
, − 减 标志 用于 q
1
(pnp) 省略)
评级
符号 单位
收集器-底座 电压 v
CBO
50 Vdc
集电极-发射极 电压 v
CEO
50 Vdc
收集器 电流
c
100 mAdc
最大值 额定值 是 那些 数值 超越 哪个 设备 损伤 可以 发生.
最大值 额定值 已应用 至 这 设备 是 个人 应力 限制 数值 (不
正常 操作 条件) 和 是 不 有效 同时. 如果 这些 限制
是 超过, 设备 功能 操作 是 不 默示, 损伤 将 发生
和 可靠性 将 是 受影响.
热 特性
热 电阻 − 交叉点到环境
(表面 已安装)
θ
ja
833
°
c/w
操作 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
65 至
+150
°
c
合计 包装 耗散
@ t
一个
= 25
°
c (备注 1)
p
d
*150 mW
1. 设备 已安装 开启 一个 右前-4 玻璃 环氧树脂 已打印 电路 板 使用 这
最小值 推荐 占地面积.
sc−88a/sot−353
案例 419a
风格 6
Ux = 设备 标记
x = 2, 3 或 5
d = 日期 代码
Ux
标记
图表
132
54
首选
设备 是 推荐 选择 用于 未来 使用
和 最好 总体 值.
45
Q1
Q2
R1
R1
R2
R2
312
d
请参见 详细 订购 和 装运 信息 入点 这 包装
尺寸 截面 开启 第页 3 的 这个 数据 工作表.
订购 信息
http://onsemi.com
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