umh7n / imh7a
晶体管
概述 目的 (双 数字 晶体管)
umh7n / imh7a
!
特点
1) 包括 两个 dtc143t 晶体管 入点 一个 单独 umt
包装.
!
!!
!
绝对 最大值 额定值
(助教=25
°
c)
参数
∗
1 120mw 按 元素 必须 不 是 超过.
∗
2 200mw 按 元素 必须 不 是 超过.
符号
v
CBO
v
CEO
v
EBO
我
c
pc
Tj
Tstg
限制
50
50
5
100
150 (合计)
150
−
55
∼+
150
单位
v
v
v
ma
mW
˚C
˚C
∗
1
300 (合计)
UMH7N
fmg13, imh7a
∗
2
收集器-底座 电压
集电极-发射极 电压
发射器-底座 电压
收集器 电流
收集器 电源
耗散
接合点 温度
存储 温度
!
!!
!
包装, 标记, 和 包装 规格
零件 否.
UMH7N
UMT6
H7
tr
3000
IMH7A
SMT6
H7
T108
3000
包装
标记
代码
基本 订购 单位 (件)
!
!!
!
外部 尺寸
(单位 : mm)
rohm : umt6
eiaj : sc-88
rohm : smt6
IMH7A
UMH7N
eiaj : sc-74
每个 铅 有 相同 尺寸
(
6
)
(
5
)
(
4
)
0.3to0.6
0.15
0.3
1.1
0.8
0to0.1
(
3
)
2.8
1.6
1.9
2.9
0.95
(
2
)
0.95
(
1
)
每个 铅 有 相同 尺寸
0to0.1
(
6
)
2.0
1.3
0.9
0.15
0.7
0.1min.
2.1
0.65
0.2
1.25
(
1
)
0.65
(
4
)
(
3
)
(
2
)
(
5
)
!
!!
!
电路 图表
UMH7N IMH7A
右
1
右
1
右
1
右
1
!
!!
!
电气 特性
(助教=25
°
c)
参数
符号
最小值 典型值 最大值 单位 条件
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
我
CBO
我
EBO
v
ce(sat)
50
50
5
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
0.5
0.5
0.3
v
v
v
µ
一个
µ
一个
v
我
c
=50
µ
一个
我
c
=1mA
我
e?
=50
µ
一个
v
cb
=50V
v
eb
=4V
我
c
/ 我
B
=5mA
/ 0.25ma
h
铁
100 250 600
−
v
ce
/ 我
c
=5v / 1ma
右
1
3.29 4.7
−
6.11 k
Ω
收集器-底座 击穿 电压
集电极-发射极 击穿 电压
发射器-底座 击穿 电压
收集器 截止 电流
发射器 截止 电流
直流 电流 转让 比率
集电极-发射极 饱和度 电压
输入 电阻
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