emx4 / umw6n / umw10n / umx4n /
晶体管
fmw6 / fmw10 / imx4
高 转变 频率 (双 晶体管)
emx4 / umw6n / umw10n / umx4n /
fmw6 / fmw10 / imx4
!
!!
!
特性
1) 二 2sc3837k 碎片 在 一个 emt 或者 umt 或者 smt 包装.
2) 高 转变 频率. (f
T
=1.5ghz)
3) 低 输出 电容. (cob=0.95pf)
!
!!
!
相等的 电路
UMW6N
(3) (2) (1)
(4)
(5)
FMW6
(3) (4) (5)
(2)
(1)
(3) (2) (1)
(4)
(5)
UMW10
(3) (4) (5)
(2)
(1)
fmw10emx4 / umx4n
(3) (2) (1)
(4) (5) (6)
IMX4
(4) (5) (6)
(3) (2) (1)
!
!!
!
绝对 最大 比率
(ta = 25
°
c)
参数 标识
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Pc
Tj
Tstg
限制
30
18
3
50
300(总的)
150(总的)
emx4 / umw6n / umw10n / umx4n
fmw6 / fmw10 / imx4
150
−
55
~
+
150
单位
V
V
V
毫安
mW
°
C
°
C
集电级-根基 电压
集电级-发射级 电压
发射级-根基 电压
集电级 电流
集电级 电源
消耗
接合面 温度
存储 温度
∗
1 120mw 每 元素 必须 不 是 超过.
∗
2 200mw 每 元素 必须 不 是 超过.
∗
1
∗
2
!
!!
!
电的 特性
(ta = 25
°
c)
参数 标识 最小值 典型值 最大值
单位
情况
转变 频率
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
ce(sat)
h
FE
h
fe1 /
h
FE2
f
T
30
18
3
−
−
27
−
−
0.5
−
−
−
−
−
−
−
1
−
−
−
0.5
0.5
270
0.5
1.6
2
V
V
V
µ
一个
µ
一个
−
−
V
MHz
∗
Cob
600 1500
0.95
−
pF
I
C
=
10
µ
一个
I
C
=
1mA
I
E
=
10
µ
一个
V
CB
=
10V
V
EB
=
2V
V
CE
/i
C
=
10v/10ma
V
CE
/i
C
=
10v/10ma, f
=
200MHz
V
CB
/f
=
10v/1mhz, i
E
=
0A
I
C
/i
B
=
20ma/4ma
V
CE
/i
C
=
10v/10ma
∗
转变 频率 的 这 设备.
集电级-根基 损坏 电压
集电级-发射级 损坏 电压
发射级-根基 损坏 电压
集电级 截止 电流
发射级 截止 电流
集电级-发射级 饱和 电压
直流 电流 转移 比率
输出 电容
h
FE
pairing
: 点此下载
