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晶体管 与 内置 电阻
un1221/1222/1223/1224
硅 npn 外延 planer 晶体管
用于 数字 电路
■
特点
●
费用 可以 是 减少 通过 downsizing 的 这 设备 和
减少 的 这 号码 的 零件.
●
m 类型 包装 允许 容易 自动 和 手册 插入 作为
井 作为 单机 固定 至 这 已打印 电路 板.
■
电阻 由 零件 号码
(右
1
)(右
2
)
●
UN1221 2.2k
Ω
2.2k
Ω
●
UN1222 4.7k
Ω
4.7k
Ω
●
UN1223 10k
Ω
10k
Ω
●
UN1224 2.2k
Ω
10k
Ω
■
绝对 最大值 额定值
(助教=25˚c)
1:底座
2:收集器
3:发射器
m 类型 模具 包装
单位: mm
内部 连接
参数 符号 额定值 单位
收集器 至 底座 电压 v
CBO
50 v
收集器 至 发射器 电压
v
CEO
50 v
收集器 电流 我
c
500 ma
合计 电源 耗散 p
t
600 mW
接合点 温度 t
j
150 ˚C
存储 温度 t
stg
–55 至 +150 ˚C
6.9
±
0.1
0.55
±
0.1 0.45
±
0.05
1.0
±
0.1
1.0
2.5
±
0.1
1.0
1.5
1.5 r0.9
r0.9
r0.7
0.4
0.85
3.5
±
0.1
2.0
±
0.2
2.4
±
0.21.25
±
0.05
4.1
±
0.2 4.5
±
0.1
2.5 2.5
123
B
c
R1
R2
e?
■
电气 特性
(助教=25˚c)
参数 符号 条件 最小 典型值 最大值 单位
收集器 截止 电流
我
CBO
v
cb
= 50v, 我
e?
= 0 1
µ
一个
我
CEO
v
ce
= 50v, 我
B
= 0 1
µ
一个
UN1221 5
UN1222 我
EBO
v
eb
= 6v, 我
c
= 0 2 ma
un1223/1224 1
收集器 至 底座 电压 v
CBO
我
c
= 10
µ
一个, 我
e?
= 0 50 v
收集器 至 发射器 电压 v
CEO
我
c
= 2ma, 我
B
= 0 50 v
UN1221 40
UN1222 h
铁
v
ce
= 10v, 我
c
= 100ma 50
un1223/1224 60
收集器 至 发射器 饱和度 电压 v
ce(sat)
我
c
= 100ma, 我
B
= 5ma 0.25 v
输出 电压 高 水平 v
哦
v
抄送
= 5v, v
B
= 0.5v, 右
l
= 500
Ω
4.9 v
输出 电压 低 水平 v
ol
v
抄送
= 5v, v
B
= 3.5v, 右
l
= 500
Ω
0.2 v
过渡 频率 f
t
v
cb
= 10v, 我
e?
= –50ma, f = 200mhz
200 MHz
un1221/1224 2.2
UN1222 右
1
(–30%) 4.7 (+30%) k
Ω
UN1223 10
电阻 比率
右
1
/右
2
0.8 1.0 1.2
UN1224 0.22
发射器
截止
电流
前进
电流
转让
比率
输入
resis-
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