1
晶体管 与 内置 电阻
un8231/un8231a
硅 npn 外延 planer 晶体管
用于 开关
■
特点
●
高 前进 电流 转让 比率 h
铁
.
●
电阻 内置 类型, 允许 downsizing 的 这 设备 和
减少 的 这 号码 的 零件.
●
可用 入点 一个 类型 与 径向 录音.
■
绝对 最大值 额定值
(助教=25˚c)
1 : 发射器
2 : 收集器
3 : 底座
mt-2 类型 包装
单位: mm
内部 连接
参数 符号 额定值 单位
UN8231
v
CBO
20
v
UN8231A 60
UN8231
v
CEO
20
v
UN8231A 50
峰值 收集器 电流 我
cp
1.5 一个
收集器 电流 我
c
0.7 一个
合计 电源 耗散 p
t
*1 w
接合点 温度 t
j
150 ˚C
存储 温度 t
stg
–55 至 +150 ˚C
B
c
R1
(
1k
Ω
)
R2
(
47k
Ω
)
e?
收集器 至
底座 电压
收集器 至
发射器 电压
■
电气 特性
(助教=25˚c)
参数 符号 条件 最小 典型值 最大值 单位
收集器 截止 电流 我
CBO
v
cb
= 15v, 我
e?
= 0 1
µ
一个
收集器 截止 电流 我
CEO
v
ce
= 15v, 我
B
= 0 10
µ
一个
发射器 截止 电流 我
EBO
v
eb
= 14v, 我
c
= 0 0.5 ma
收集器 至 底座 电压
UN8231
v
CBO
我
c
= 10
µ
一个, 我
e?
= 0
20
v
UN8231A
60
收集器 至 发射器 电压
UN8231
v
CEO
我
c
= 1ma, 我
B
= 0
20
v
UN8231A
50
前进 电流 转让 比率 h
铁
*V
ce
= 10v, 我
c
= 150ma 800 2100
收集器 至 发射器 饱和度 电压 v
ce(sat)
*I
c
= 500ma, 我
B
= 5ma 0.4 v
输入 电阻 右
1
0.7 1 1.3 k
Ω
电阻 比率 右
1
/右
2
0.016 0.021 0.025
过渡 频率 f
t
v
cb
= 10v, 我
e?
= –50ma, f = 200mhz
200 MHz
* 已打印 电路 板: 铜 箔 面积 的 1cm
2
或 更多 和 厚度 的
1.7mm 用于 这 收集器 部分.
*pulse 测量
2.5
±
0.1
4.5
±
0.114.5
±
0.5
2.5
±
0.5 2.5
±
0.5
2.5
±
0.1
6.9
±
0.1
1.05
±
0.05 (1.45)
4.00.7 0.8
0.15
0.5
0.21.01.0
0.65 最大值
0.45
+0.1
–0.05
0.45
+0.1
–0.05
321
: 点此下载
