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1999,2000
mos 字段 效果 晶体管
µ
µµ
µ
PA1764
开关
双 n通道 电源 mos 场效应晶体管
工业 使用
数据 工作表
文件 否. g14329ej1v0ds00 (1st 版本)
日期 已发布 january 2000 ns cp(k)
已打印 入点 日本
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描述
这
µ
pa1764 是 n通道 mos 字段 效果
晶体管 设计 用于 高 电流 开关
应用程序.
特点
•
双 芯片 类型
•
低 开启状态 电阻
右
ds(开启)1
= 27 m
Ω
(典型值.) (v
gs
= 10 v, 我
d
= 3.5
一个)
右
ds(开启)2
= 32 m
Ω
(典型值.) (v
gs
= 4.5 v, 我
d
= 3.5
一个)
右
ds(开启)3
= 34 m
Ω
(典型值.) (v
gs
= 4.0 v, 我
d
= 3.5
一个)
•
低 输入 电容
c
国际空间站
= 1300 pf (典型值.)
•
内置 g-s 保护 二极管
•
小 和 表面 安装 包装 (电源 sop8)
订购 信息
零件 号码 包装
µ
PA1764G 电源 sop8
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25°c, 全部 接线端子 是 已连接.)
排水管 至 来源 电压 v
DSS
60 v
闸门 至 来源 电压 v
GSS
±20 v
排水管 电流 (直流) 我
d(直流)
±7 一个
排水管 电流 (脉冲)
Note1
我
d(脉冲)
±28 一个
合计 电源 耗散 (1 单位)
Note2
p
t
1.7 w
合计 电源 耗散 (2 单位)
Note2
p
t
2.0 w
频道 温度 t
ch
150 °C
存储 温度 t
stg
–55 至 +150 °C
单独 雪崩 电流
Note3
我
作为
7A
单独 雪崩 能源
Note3
e?
作为
98 mJ
备注 1.
pw
≤
10
µ
s, 职责 循环
≤
1
%
2.
已安装 开启 陶瓷 基材 的 2000
mm
2
x 2.2
mm
3.
起动 t
ch
= 25 °c, 右
g
= 25
Ω,
v
gs
= 20 v
→
0 v
包装 图纸 (单位 : mm)
1.27
0.12 m
6.0 ±0.3
4.4
0.40
+0.10
–0.05
0.78 最大值
0.05 最小值
1.8 最大值
1.44
0.8
0.5 ±0.2
0.15
+0.10
–0.05
5.37 最大值
0.10
14
85
1 : 来源 1
2 : 闸门 1
7, 8 : 排水管 1
3 : 来源 2
4 : 闸门 2
5, 6 : 排水管 2
等效 电路
(1/2 电路)
来源
车身
二极管
闸门
保护
二极管
闸门
排水管
Remark
这 二极管 已连接 之间 这 闸门 和 来源 的 这 晶体管 服务 作为 一个 保护器 反对 esd.
当 这个 设备 其实 已使用, 一个 附加 保护 电路 是 外部 必填项 如果 一个 电压
超过 这 额定 电压 将 是 已应用 至 这个 设备.
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