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资料编号:676496
 
资料名称:UTC2SA733
 
文件大小: 21.37K
   
说明
 
介绍:
LOW FREQUENCY AMPLIFIER PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号UTC2SA733的Datasheet PDF文件第2页
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
utc 2sa733 npn外延 硅 晶体管
UTCunisonic 技术一氧化碳.有限公司
1
低 频率 放大器
pnp
晶体管
描述
utc 2sa733 是一个 低 频率 放大器.
特点
*collector-发射器 电压:
BVCBO=-50v
*collector 电流 向上 至150mA
*Highhfe 线性度
*complimentary 至 2sc945
至-92
1
1:发射器2:收集器 3:底座
绝对 最大值 额定值( 助教=25
°
c ,除非 否则 指定 )
参数 符号 单位
收集器-底座 电压 vCBO -60 v
集电极-发射极 电压 vCEO -50 v
发射器-底座 电压 vEBO -5 v
收集器 耗散(助教=25
°
c) pc 250 mW
收集器 电流 集成电路 -150 ma
接合点 温度 tj 125
°
c
存储 温度 tstg -55 ~ +150
°
c
电气特性(助教=25
°
c,除非 否则 指定)
参数 符号 测试一下 条件 最小 典型值 最大值 单位
收集器-底座 击穿 电压 BVCBO 集成电路=-100
µ
一个, 我e?=0 -60 v
集电极-发射极 击穿 电压 BVCEO c=-10ma,我B=0 -50 v
收集器 截止 电流 CBO vcb=-40v,我e?=0 -100 不适用
发射器 截止 电流 EBO veb=-3v,集成电路=0 -100 不适用
直流 电流 增益(备注) hFE1 vce=-6v,集成电路=-1ma 90 600
集电极-发射极 饱和度 电压 vce(sat) 集成电路=-100ma,我B=-10ma -0.1 -0.3 v
电流 增益 带宽 产品 ft vce=-10v,集成电路=-50ma 100 190 MHz
输出 电容 Cob vcb=-10v,我e?=0,f=1mhz 2.0 3.0 pf
噪声 图 nf 集成电路=-0.1ma,vce=-6v
g=10k
,f=100hz
4.0 6.0 db
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