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资料编号:676552
 
资料名称:UTC2SA1015
 
文件大小: 62.09K
   
说明
 
介绍:
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号UTC2SA1015的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
utc 2sa1015 pnpe?pt一个x 一个lslcont一个nssto
UTC
unisonic 技术 一氧化碳. 有限公司
1
qw-r201-004,一个
频率 pnp
放大器 晶体管
特点
*collector-发射器 电压:
BV
CEO
=-50v
*collector 电流 向上 至 150ma
*high hfe 线性度
*complement 至 2sc1815
至-92
1
1:发射器 2:收集器 3: 底座
绝对 最大值 额定值
°
c ,除非 否则 指定 )
参数 符号 评级 单位
收集器-底座 电压 v
CBO
-50 v
集电极-发射极 电压 v
CEO
-50 v
发射器-底座 电压 v
EBO
-5 v
收集器 耗散 pc 400 mW
收集器 电流 集成电路 -150 ma
底座 电流
B
-50 ma
接合点 温度 t
j
125
°
c
存储 温度 t
stg
-65 ~ +150
°
c
电气 特性
(助教=25
°
c,除非 否则 指定)
参数 符号 测试一下 条件 最小 典型值 最大值 单位
收集器-底座 击穿 电压 BV
CBO
集成电路=-100
µ
一个,我
e?
=0
-50 v
集电极-发射极 击穿 电压 BV
CEO
集成电路=-10ma,我
B
=0 -50 v
发射器-底座 击穿 电压 BV
EBO
e?
=-10
µ
一个,集成电路=0
-5 v
收集器 截止 电流
CBO
v
cb
=-50v,我
e?
=0 -100 不适用
发射器 截止 电流
EBO
v
eb
=-5v,集成电路=0 -100 不适用
直流 电流 增益(备注) h
FE1
h
FE2
v
ce
=-6v,集成电路=-2ma
v
ce
=-6v,集成电路=-150ma
70
25
400
集电极-发射极 饱和度 电压 v
ce
(sat) 集成电路=-100ma,我
B
=-10ma -0.1 -0.3 v
基极-发射极 饱和度 电压 v
(sat) 集成电路=-100ma,我
B
=-10ma -1.1 v
电流 增益 带宽 产品 f
t
v
ce
=-10v,集成电路=-1ma 80 MHz
输出 电容 Cob v
cb
=-10v,我
e?
=0,f=1mhz 4.0 7.0 pf
噪声 图 nf 集成电路=-0.1ma,v
ce
=-6v
g
=1k
,f=100hz
0.5 6 db
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