utc 2sa1020 pnp 外延 硅 晶体管
UTC
unisonic 技术 一氧化碳. 有限公司
1
qw-r208-021,一个
硅 pnp 外延
晶体管
描述
这 utc 2sa1020 是 设计 用于 电源 放大器 和
电源 开关 应用程序.
特点
*low 收集器 饱和度 电压:
vce(sat)=-0.5v(最大值.) (集成电路=-1a)
*high 速度 开关 时间: tstg=1.0
µ
s(典型值.)
*complement 至 utc 2sc2655
sot-89
1
1:发射器 2:收集器 3:底座
绝对 最大值 额定值
(助教=25
°
c)
参数 符号 值 单位
收集器-底座 电压 v
CBO
-50 v
集电极-发射极 电压 v
CEO
-50 v
发射器-底座 电压 v
EBO
-5 v
收集器 电流 集成电路 -2 一个
收集器 电源 耗散 p
c
0.5 w
收集器 电源 耗散 p
c
* 1 w
接合点 温度 t
j
150
°
c
存储 温度 t
stg
-55 ~ +150
°
c
* : 已安装 开启 cermic 基材( 250mm
2
×
0.8t )
电气 特性
(助教=25
°
c, 除非 否则 指定)
参数 符号 测试一下 条件 最小 典型值 最大值 单位
收集器 截止 电流 我
CBO
v
cb
=-50v, 我
e?
=0 -1.0
µ
一个
发射器 截止 电流 我
EBO
v
eb
=-5v, 我
c
=0 -1.0
µ
一个
收集器 至 发射器 击穿
电压
v
(br)ceo
集成电路=-10ma, 我
B
=0 -50 v
直流 电流 增益 h
FE1
h
FE2
v
ce
=-2v, 我
c
=-0.5a
v
ce
=-2v, 我
c
=-1.5a
70
40
240
收集器 至 发射器 饱和度
电压
v
ce(sat)
集成电路=-1a, 我
B
=-0.05a -0.5 v
底座 至 发射器 饱和度 电压 v
是(sat)
集成电路=-1a, 我
B
=-0.05a -1.2 v
过渡 频率 f
t
v
ce
=-2v, 集成电路=-0.5a 100 MHz
收集器 输出 电容 Cob v
cb
=-10v, 我
e?
=0, f=1mhz 40 pf
打开 时间 吨 0.1
µ
s
存储 时间 tstg 1.0
µ
s
开关 时间
坠落 时间 tf 0.1
µ
s
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