8-megabit
(1m x 8)
单独的 2.7-volt
电池-电压
flash 记忆
AT49BV080
AT49BV080T
AT49LV080
AT49LV080T
特性
•
单独的 供应 为 读 和 写: 2.7v 至 3.6v (bv), 3.0v 至 3.6v (lv)
•
快 读 进入 时间 - 120 ns
•
内部的 程序 控制 和 计时器
•
16k 字节 激励 块 和 lockout
•
快 擦掉 循环 时间 - 10 秒
•
字节-用-字节 程序编制 - 30
µ
s/字节 典型
•
硬件 数据 保护
•
数据 polling 为 终止 的 程序 发现
•
低 电源 消耗
- 25 毫安 起作用的 电流
- 50
µ
一个 cmos 备用物品 电流
•
典型 10,000 写 循环
•
小 包装
- 8 x 14 mm cbga
管脚 配置
管脚 名字 函数
a0 - a19 地址
CE 碎片 使能
OE 输出 使能
我们 写 使能
重置 重置
rdy/
BUSY 准备好/busy 输出
i/o0 - i/o7 数据 输入/输出
这 at49bv/lv080 是 3-volt-仅有的 在-系统 flash 记忆 设备. 它们的 8 mega-
位 的 记忆 是 有组织的 作 1,024,576 words 用 8 位. 制造的 和 在-
mel’s 先进的 nonvolatile cmos 技术, 这 设备 提供 进入 时间 至 120
ns 和 电源 消耗 的 just 90 mw 在 这 商业的 温度 范围.
当 这 设备 是 deselected, 这 cmos 备用物品 电流 是 较少 比 50
µ
一个.
这 设备 包含 一个 用户-使能 "激励 块" 保护 特性. 二 版本 的
这 特性 是 有: 这 at49bv/lv080 locates 这 激励 块 在 最低 顺序
地址 ("bottom 激励"); 这 at49bvlv080t locates 它 在 最高的 顺序 地址
("顶 激励").
描述
(持续)
tsop 顶 视图
类型 1
0812a–8/97
一个
B
C
D
E
F
1
234567
A5
A4
A6
A3
A2
A1
A8
A7
A9
i/o1
A0
i/o0
A11
A10
RST
NC
i/o3
i/o2
NC
VCC
CE
VCC
地
地
A12
A13
A14
i/o4
i/o6
i/o5
A15
NC
A16
i/o7
OE
ry/用
A17
A18
A19
NC
NC
我们
cbga 顶 视图
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
重置
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
NC
NC
A3
A2
A1
A0
i/o0
i/o1
i/o2
i/o3
地
地
VCC
CE
A12
A13
A14
A15
A16
A17
A18
A19
NC
NC
NC
NC
我们
OE
rdy/busy
i/o7
i/o6
i/o5
i/o4
VCC
SOIC
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