>┊
首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号: 
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:679453
 
资料名称:K6R4008V1D-TI08
 
文件大小: 139.87K
   
说明
 
介绍:
256Kx16 Bit High Speed Static RAM(5.0V Operating). Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号K6R4008V1D-TI08的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号K6R4008V1D-TI08的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号K6R4008V1D-TI08的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号K6R4008V1D-TI08的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号K6R4008V1D-TI08的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号K6R4008V1D-TI08的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号K6R4008V1D-TI08的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号K6R4008V1D-TI08的Datasheet PDF文件第9页
9
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
K6R4016C1D
cmos sram
PRELIMPreliminaryPPPPPPPPPINARY
rev 2.0
- 1 -
六月 2003
文件 标题
256kx16 有点 高 速度 静态 ram(5.0v 操作).
操作 在 商业 和 工业 温度 范围.
修订 历史
这 附加 数据 床单 是 编制 和 已批准 由 samsung 电子产品. samsung 电子产品 一氧化碳., 有限公司. 储备金 这 右侧 至 c
规格. samsung 电子产品 将 评估 和 回复 至 你的 请求 和 提问 开启 这 参数 的 这个 设备. 如果 你 有 任何 ques-
区域, 请 联系人 这 samsung 分支机构 办公室 近 你的 办公室, 呼叫 或 联系人 总部.
rev 否.
rev. 0.0
rev. 0.1
rev. 0.2
rev. 0.3
rev. 0.4
rev. 1.0
rev. 2.0
Remark
初步
初步
初步
初步
初步
决赛
决赛
历史
初始 释放 与 初步.
包装 尺寸 修改 开启 第页 11.
变更 icc, isb 和 isb1
1. 正确 交流电 参数 : 阅读 &放大器; 写 循环
2. corrrect 电源 零件 : 删除 "p-工业,低 电源" 零件
3. 删除 数据 保留 特性
1. 删除 15ns 速度 垃圾桶.
2. 变更 icc 用于 工业 模式.
1. 决赛 数据表 释放.
2. 删除 12ns 速度 垃圾桶.
1. 添加 这 铅 免费 包装 类型.
项目 上一个 电流
抄送(商业)
10ns 90mA 65mA
12ns 80mA 55mA
15ns 70mA 45mA
抄送(工业)
10ns 115mA 85mA
12ns 100mA 75mA
15ns 85mA 65mA
SB 30mA 20mA
sb1(正常) 10mA 5mA
项目 上一个 电流
抄送(工业)
10ns 85mA 75mA
12ns 75mA 65mA
草稿 数据
九月. 7. 2001
septermber.28. 2001
十一月, 3, 2001
十一月, 23, 2001
12月, 18, 2001
july, 09, 2002
六月. 20, 2003
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com