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128mb: x16, x32 mobile sdram micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
mobiley95w_3v_f.p65 – rev. f; pub. 9/02 ©2002, micron 技术, 公司
128mb: x16, x32
mobile sdram
进步
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产品 和 规格 discussed 在此处 是 为 evaluation 和 涉及 puroposes 仅有的 和 是 主题 至 改变 用
micron 没有 注意. 产品 是 仅有的 warranted 用 micron 至 满足 micron's 生产 和 数据 薄板 规格.
8 meg x 16 4 meg x 32
配置 2 meg x16 x 4 banks 1 meg x 32 x 4 banks
refresh 计数 4K 4K
行 寻址 4k (a0–a11) 4k (a0–a11)
bank 寻址 4 (ba0, ba1) 4 (ba0, ba1)
column 寻址 512(a0–a8) 256 (a0–a7)
同步的
DRAM
mt48lc8m16lfff, mt48v8m16lfff – 2 meg x 16 x 4 banks
mt48lc4m32lffc , mt48v4m32lffc – 1 meg x 32 x 4 banks
为 这 最新的 数据 薄板 revisions, 请 谈及 至 这 micron 网
站点:www.micron.com/dramds
管脚 分派 (顶 视图)
54-球 vfbga
特性
• 温度 补偿 自 refresh (tcsr)
• 全部地 同步的; 所有 信号 注册 在 积极的
边缘 的 系统 时钟
• 内部的 pipelined 运作; column 地址 能 是
changed 每 时钟 循环
• 内部的 banks 为 hiding 行 进入/precharge
• 可编程序的 burst 长度: 1, 2, 4, 8, 或者 全部 页
• 自动 precharge, 包含 concurrent 自动
precharge, 和 自动 refresh 模式
• 自 refresh 模式; 标准 和 低 电源
• 64ms, 4,096-循环 refresh
• lvttl-兼容 输入 和 输出
• 低 电压 电源 供应
• partial 排列 自 refresh 电源-节省 模式
• 运行 温度 范围
工业的 (-40
o
c 至 +85
o
c)
选项 标记
•V
DD
/v
DD
Q
3.3v/3.3v LC
2.5v/2.5v 或者 1.8v V
• 配置
8 meg x 16 (2 meg x 16 x 4 banks) 8M16
4 meg x 32 (1 meg x 32 x 4 banks) 4M32
• 包装/球 输出
塑料 包装
54-球 fbga (8mm x 9mm)(x16 仅有的) FF
1
90-球 fbga (11mm x 13mm) FC
1
• 定时 (循环 时间)
8ns @ cl = 3 (125 mhz) -8
10ns @ cl = 3 (100 mhz) -10
部分 号码 例子:
mt48v8m16lffc-8
便条
: 1. 看 页 61 为 fbga/vfbga 设备 标记
表格.
关键 定时 参数
速 时钟 进入 时间
t
RCD
t
RP
等级 频率 CL=1* CL=2* CL=3*
-8 125 mhz – – 7ns 20ns 20ns
-10 100 mhz – – 7ns 20ns 20ns
-8 100 mhz – 8ns – 20ns 20ns
-10 83 mhz – 8ns – 20ns 20ns
-8 50 mhz 19ns – – 20ns 20ns
-10 40 mhz 22ns – – 20ns 20ns
*cl = cas (读) latency
一个
B
C
D
E
F
G
H
J
1 2 3 4 5 6 7 8
顶 视图
(球 向下)
V
SS
DQ14
DQ12
DQ10
DQ8
UDQM
nc/a12
A8
V
SS
DQ15
DQ13
DQ11
DQ9
NC
CLK
A11
A7
A5
V
SS
Q
V
DD
Q
V
SS
Q
V
DD
Q
V
SS
CKE
A9
A6
A4
V
DD
Q
V
SS
Q
V
DD
Q
V
SS
Q
V
DD
CAS#
BA0
A0
A3
DQ0
DQ2
DQ4
DQ6
LDQM
RAS#
BA1
A1
A2
V
DD
DQ1
DQ3
DQ5
DQ7
WE#
CS#
A10
V
DD
9
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