sces351n − 六月2001 − 修订 october 2005
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邮递 办公室 盒 655303
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达拉斯市, 德州 75265
有 在 这 德州 器械
NanoStar
和 nanofree
包装
支持 5-v v
CC
运作
输入 接受 电压 至 5.5 v
最大值 t
pd
的 4.6 ns 在 3.3 v
低 电源 消耗量, 10-
µ
一个 最大值 i
CC
±
24-毫安 输出 驱动 在 3.3 v
I
止
支持 partial-电源-向下 模式
运作
获得-向上 效能 超过 100 毫安 每
jesd 78, 类 ii
静电释放 保护 超过 jesd 22
− 2000-v 人-身体 模型 (a114-一个)
− 200-v 机器 模型 (a115-一个)
− 1000-v charged-设备 模型 (c101)
3
2
4
51
NC V
CC
Y
一个
地
dbv 包装
(顶 视图)
yea, yep, yza, 或者 yzp 包装
(bottom 视图)
dck 包装
(顶 视图)
3
2
4
51
NC V
CC
Y
一个
地
3
2
4
51
NC
Y
一个
地
DNU
地
V
CC
Y
一个
drl 包装
(顶 视图)
看 机械的 绘画 为 维度.
1
4
2
3
5
V
CC
dnu − 做 不 使用
yzv 包装
(bottom 视图)
地
V
CC
Y
一个
3
1
2
4
描述/订货 信息
这个 单独的 施密特-触发 缓存区 是 设计 为 1.65-v 至 5.5-v v
CC
运作.
这 sn74lvc1g17 包含 一个 缓存区 和 执行 这 boolean 函数 y = 一个. 这 设备 功能 作 一个
独立 缓存区, 但是 因为 的 施密特 action, 它将 有 different 输入 门槛 水平 为 积极的-going
(v
T+
) 和 负的-going (v
T−
) 信号.
NanoStar
和 nanofree
包装技术 是 一个 主要的 breakthrough 在 ic 包装 concepts, 使用 这
消逝 作 这 包装.
这个设备 是 全部地 指定 为 partial-电源-向下 产品 使用 i
止
. 这 i
止
电路系统 使不能运转 这 输出,
阻止 损害的 电流 backflow 通过 这 设备 当 它 是 powered 向下.
版权
2005, 德州 器械 组成公司的
请 是 知道 那 一个 重要的 注意 涉及 avail能力, 标准 保用单, 和 使用 在 核心的 产品 的
德州 器械 半导体 产品 和 免责声明 附之 呈现 在 这 终止 的 这个 数据 薄板.
nanostar 和 nanofree 是 商标 的 德州 器械.
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