SN74LVC1G125
单独的 总线 缓存区 门
和 3-状态 输出
sces223c – april 1999 – 修订 二月 2000
1
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
D
EPIC
(增强-效能 implanted
cmos) submicron 处理
D
I
止
特性 支持 partial-电源-向下
模式 运作
D
支持 5-v v
CC
运作
D
包装 选项 包含 塑料
小-外形 晶体管 (dbv, dck)
包装
描述
这个 总线 缓存区 门 是 设计 为 1.65-v 至 5.5-v v
CC
运作.
这 sn74lvc1g125 特性 一个 单独的 线条 驱动器 和 一个 3-状态 输出. 这 输出 是 无能 当 这
输出-使能 (oe) 输入 是 高.
至 确保 这 高-阻抗 状态 在 电源 向上 或者 电源 向下, oe
应当 是 系 至 v
CC
通过 一个 pullup
电阻; 这 最小 值 的 这 电阻 是 决定 用 这 电流-sinking 能力 的 这 驱动器.
这个 设备 是 全部地 指定 为 partial-电源-向下 产品 使用 i
止
. 这 i
止
电路系统 使不能运转 这 输出,
阻止 损害的 电流 backflow 通过 这 设备 当 它 是 powered 向下.
这 sn74lvc1g125 是 典型 为 运作 从 –40
°
c 至 85
°
c.
函数 表格
输入
输出
OE 一个
Y
L H H
L LL
H X Z
逻辑 标识
†
EN
1
OE
2
一个
Y
4
†
这个 标识 是 在 一致 和 ansi/ieee 标准 91-1984 和 iec 发行 617-12.
逻辑 图解 (积极的 逻辑)
AY
OE
1
24
产品 预告(展)
版权
2000, 德州 器械 组成公司的
产品 预告(展) 信息 concerns 产品 在 这 formative 或者
设计 阶段 的 开发. 典型的 数据 和 其它
规格 是 设计 goals. 德州 器械 reserves 这 正确的 至
改变 或者 停止 这些 产品 没有 注意.
请 是 知道 那 一个 重要的 注意 涉及 有效性, 标准 保用单, 和 使用 在 核心的 产品 的
德州 器械 半导体 产品 和 免责声明 附之 呈现 在 这 终止 的 这个 数据 薄板.
epic 是 一个 商标 的 德州 器械 组成公司的.
dbv 或者 dck 包装
(顶 视图)
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一个
地
V
CC
Y
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