SN74LVCZ16244A
16-位 缓存区/驱动器
和 3-状态 输出
sces277b – 六月 1999 – 修订 march 2000
1
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
D
成员 的 这 德州 器械
Widebus
家族
D
EPIC
(增强-效能 implanted
cmos) submicron 处理
D
典型 v
OLP
(输出 地面 bounce)
<0.8 v 在 v
CC
= 3.3 v, t
一个
= 25
°
C
D
典型 v
OHV
(输出 v
OH
undershoot)
>2 v 在 v
CC
= 3.3 v, t
一个
= 25
°
C
D
I
止
和 电源-向上 3-状态 支持 hot
嵌入
D
支持 mixed-模式 信号 运作 在
所有 端口 (5-v 输入/输出 电压 和
3.3-v v
CC
)
D
获得-向上 效能 超过 100 毫安 每
jesd 78, 类 ii
D
静电释放 保护 超过 jesd 22
– 2000-v 人-身体 模型 (a114-一个)
– 200-v 机器 模型 (a115-一个)
– 1000-v charged-设备 模型 (c101)
D
包装 选项 包含 塑料 shrink
小-外形 (dl) 和 薄的 shrink
小-外形 (dgg) 包装
描述
这个 16-位 缓存区/驱动器 是 设计 为 3-v 至
3.6-v v
CC
运作.
这 sn74lvcz16244a 是 设计 specifically 至 改进 这 效能 和 密度 的 3-状态 记忆
地址 驱动器, 时钟 驱动器, 和 总线-朝向 接受者 和 传输者.
这 设备 能 是 使用 作 四 4-位 缓存区, 二 8-位 缓存区, 或者 一个 16-bit buffer. 它 提供 真实 输出 和
对称的 起作用的-低 输出-使能 (oe) 输入.
输入 能 是 驱动 从 也 3.3-v 或者 5-v 设备. 这个 特性 准许 这 使用 的 这些 设备 作 翻译
在 一个 mixed 3.3-v/5-v 系统 环境.
当 v
CC
是 在 0 和 1.5 v, 这 设备 是 在 这 高-阻抗 状态 在 电源 向上 或者 电源 向下.
不管怎样, 至 确保 这 高-阻抗 状态 在之上 1.5 v, oe应当 是 系 至 v
CC
通过 一个 pullup 电阻;
这 最小 值 的 这 电阻 是 决定 用 这 电流-sinking 能力 的 这 驱动器.
这个 设备 是 全部地 指定 为 hot-嵌入 产品 使用 i
止
和 电源-向上 3-状态. 这 i
止
电路系统
使不能运转 这 输出, 阻止 损害的 电流 backflow 通过 这 设备 当 它 是 powered 向下. 这
电源-向上 3-状态 电路系统 places 这 输出 在 这 高-阻抗 状态 在 电源 向上 和 电源 向下,
这个 阻止 驱动器 conflict.
这 sn74lvcz16244a 是 典型 为 运作 从 –40
°
c 至 85
°
c.
版权
2000, 德州 器械 组成公司的
生产 数据 信息 是 电流 作 的 发行 日期.
产品 遵从 至 规格 每 这 条款 的 德州 器械
标准 保用单. 生产 处理 做 不 必然地 包含
测试 的 所有 参数.
请 是 知道 那 一个 重要的 注意 涉及 有效性, 标准 保用单, 和 使用 在 核心的 产品 的
德州 器械 半导体 产品 和 免责声明 附之 呈现 在 这 终止 的 这个 数据 薄板.
epic 和 widebus 是 商标 的 德州 器械.
dgg 或者 dl 包装
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