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特点
10 年 最小值 数据 保留 入点 这
缺席 的 外部 电源
数据 是 自动 保护 期间 电源
损失
无限 写 循环次数
低功耗 cmos 操作
阅读 和 写 访问权限 次 作为 快 作为 100ns
锂 能源 来源 是 电气
已断开连接 至 保留 新鲜度 直到 电源 是
已应用 用于 这 第一 时间
可选 工业 (指示) 温度 范围
的 -40
c 至 +85
c
管脚 分配
管脚 描述
a0–a19 - 地址 输入
DQ0–DQ7 - 数据 入点/数据 出点
ce
- 芯片 启用
我们
- 写 启用
oe
- 输出 启用
v
抄送
- 电源 (+3.3v)
地 - 接地
nc - 否 连接
描述
这 ds1265w 8mb 非挥发性 (nv) srams 是 8,388,608-有点, 完全 静态, nv srams 有组织的 作为
1,048,576 字词 由 8 比特. 每个 nv sram 有 一个 独立的 锂 能源 来源 和 控制
电路 那 不断地 显示器 v
抄送
用于 一个 超出公差 条件.当 这样的 一个 条件 发生,
这 锂 能源 来源 是 自动 已切换开启 和 写 保护 是 无条件 已启用 至
防止 数据 腐败. 那里 是 否 限制 开启 这 号码的 写 循环次数 那 可以 是 处决 和 否
附加 支持 电路 是 请求红色 用于 微处理器 接口.
DS1265W
3.3v 8mb 非挥发性 sram
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36-管脚 已封装 包装
740mil 扩展
A18
A14
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A0
A1
v
抄送
一个19
nc
一个15
A17
我们
一个13
A8
A9
一个11
oe
一个10
DQ7
ce
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nc
A16
A12
nc
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地
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