W29EE012
128K
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8 cmosflash 记忆
发行 释放 日期: march 26, 2002
-1-修订 a3
一般 描述
这w29ee012 是 一个 1-megabit, 5-volt 仅有的 cmos flash 记忆 有组织的 作 128k
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8 位. 这
设备 能 是 编写程序 和 erased 在-系统 和 一个 标准 5v 电源 供应. 一个 12-volt vPP是
不 必需的. 这 唯一的 cell architecture 的 这w29ee012 结果 在 快 程序/擦掉 行动
和 极其 低 电流 消耗量 (对照的 至 其它 comparable 5-volt flash 记忆 产品).
这 设备 能 也 是 编写程序 和 erased 使用 标准 非易失存储器 programmers.
特性
•
单独的 5-volt 程序 和 擦掉 行动
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快 页-写 行动
−
128 字节 每 页
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页 程序 循环: 10 ms (最大值.)
−
有效的 字节-程序 循环 时间: 39
µ
S
−
optional 软件-保护 data 写
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快 碎片-擦掉 运作: 50 ms
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页 程序/擦掉 循环: 1,000
•
Ten-年 数据 保持
•
软件 和 硬件 data 保护
•
低 电源 消耗量
−
起作用的 电流: 25 毫安 (典型值.)
−
备用物品 电流: 20
µ
一个 (典型值.)
•
自动 程序 定时 和 内部的 vPP
一代
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终止 的 程序 发现
−
toggle 位
−
数据 polling
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latched 地址 和 数据
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ttl 兼容 i/o
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电子元件工业联合会 标准 字节-宽 pinouts