AI02178
19
a0-a18
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dq0-dq14
v
抄送
M29W800T
M29W800B
e?
v
ss
15
g
rp
DQ15A–1
字节
RB
图 1. 逻辑 图表
M29W800T
M29W800B
8 Mbit (1mb x8 或 512Kb x16, 引导 块)
低 电压 单独 供应 闪光灯 记忆
不 用于 新建 设计
M29W800T 和 M29W800B 是 已更换
分别 由 这 M29W800AT 和
M29W800AB
2.7v 至 3.6v 供应 电压 用于
程序, 擦除 和 阅读 运营
快 访问权限 时间: 90ns
快 编程 时间
–10
µ
s 由 字节 / 20
µ
s 由 字 典型
程序/擦除 控制器 (p/e?.c.)
– 程序 逐字节 或 逐字逐句
– 状态 注册 比特 和 准备就绪/忙 输出
记忆 块
– 引导 块 (顶部 或 底部 位置)
– 参数 和 主 块
块, 多-块 和 芯片 擦除
多 块 保护/临时
无保护 模式
擦除 挂起 和 简历 模式
– 阅读 和 程序 另一个 块 期间
擦除 挂起
低 电源 消费
– 备用 和 自动 备用
100,000 程序/擦除 循环次数 按
块
20 年 数据 保留
– Defectivity 下面 1ppm/年份
电子 签名
– 制造商 代码: 0020h
– 设备 代码, m29w800t: 00D7h
– 设备 代码, m29w800b: 005Bh
描述
这 M29W800 是 一个 非挥发性 记忆 那 将
是 已擦除 电气 在 这 块 或 芯片 水平 一个钕
编程在系统内 开启 一个 逐字节或 字-
由-字 依据 使用 仅 一个 单独 2.7v 至 3.6v v
抄送
供应. 用于 程序 和 擦除 运营 这
必要的 高 电压 是 已生成 内部.
这 设备 可以 也 是 编程 入点 标准
程序员.
这 阵列 矩阵 组织机构 允许 每个 块 至
是 已擦除 和 重新编程 无 影响
其他 块. 块 可以 是 保护 反对 专业版-
graming 和 擦除 开启 编程 设备,
六月 1999 1/33
这个 是 信息开启 一个 产品 仍然 入点 产品离子 但是 not 推荐 用于 新建 设计.
44
1
SO44 (m)tSOP48 (n)
12 x 20 mm