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特性
10-年 最小 数据 保持 在 这
absence 的 外部 电源
数据 是 automatically 保护 在 一个
电源 丧失
独立的 upper 字节 和 更小的 字节 碎片
选择 输入
unlimited 写 循环
低-电源 cmos
读 和 写 进入 时间 作 快 作
100ns
lithium 活力 源 是 用电气
disconnected 至 retain freshness 直到
电源 是 应用 为 这 第一 时间
optional 工业的 温度 范围 的
-40
c 至 +85
c, designated ind
管脚 分派
管脚 描述
a0 - a16 - 地址 输入
dq0 - dq15 - 数据 在/数据 输出
CEU
- 碎片 使能 upper 字节
CEL
- 碎片 使能 更小的 字节
我们
- 写 使能
OE
- 输出 使能
V
CC
- 电源 (+3.3v)
地 - 地面
描述
这 ds1258w 3.3v 128k x 16 nonvolatile sram 是一个 2,097,152-位, 全部地 静态的, nonvolatile (nv)
sram, 有组织的 作 131,072 words 用 16 位. 各自nv sram 有 一个 自-包含 lithium 活力
源 和 控制 电路系统,这个 constantly monitors v
CC
为 一个 输出-的-容忍 情况. 当 此类
一个 情况 occurs, 这 lithium 活力 源 是 automatically 切换 在 和 写 保护 是
unconditionally 使能 至 阻止 data corruption. 插件-包装 ds1258w 设备 能 是 使用 在 放置
的 解决方案 这个 build nonvolatile128k x 16 记忆 用 utilizing 一个 variety 的 分离的 组件.
那里 是 非 限制 在 这 号码 的 写 循环 那能 是 executed 和 非 增加itional 支持 电路系统 是
必需的 为 微处理器 接合.
DS1258W
3.3v 128k x 16 nonvolatile
SRAM
www.maxim-ic.com
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V
CC
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CEU
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40-管脚 encapsulated 包装
740mil 扩展
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地
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我们
一个16
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