X22C12
1
非挥发性 静态 ram
© xicor, 公司 1991, 1995 专利 待定 特性 主题 至 变更 无 通知
3817-2.4 7/30/96 t0/c0/d1 sh
特点
•
高 业绩 cmos
—150ns ram 访问权限 时间
•
高 可靠性
—store 循环次数: 1,000,000
—data 保留: 100 年
•
低 电源 消费
—active: 40ma 最大值
—standby: 100
µ
一个 最大值
•
无限 阵列 召回, ram 阅读 和 写 循环次数
•
非挥发性 商店 抑制: v
抄送
= 3.5v 典型
•
完全 ttl 和 cmos 兼容
•
电子元件工业联合会 标准 18-管脚 300-密耳 倾角
•
100% 兼容 与 x2212
—with 计时 增强功能
描述
这 x22c12 是 一个 256 x 4 cmos novram 特色 一个
高速 静态 ram overlaid 有点-用于-有点 与 一个 非-
挥发性 e?
2
舞会. 这 novram 设计 允许 数据 至
是 很容易 已转移 从 ram 至 e?
2
舞会 (商店)
和 从 e?
2
舞会 至 ram (召回). 这 商店
操作 是 已完成 内 5ms 或 较少 和 这
召回 是 已完成 内 1
µ
s.
xicor novrams 是 设计 用于 无限 写 歌剧-
区域 至 这 ram, 要么 召回 从 e?
2
舞会 或
写入 从 这 主机. 这 x22c12 将 可靠 忍受
1,000,000 商店 循环次数. 固有的 数据 保留 是
更大 比 100 年.
3817 fhd f01
非挥发性 e?
2
舞会
记忆 阵列
行
选择
静态 ram
记忆 阵列
色谱柱 选择
输入
data
控制
控制
逻辑
v
抄送
v
ss
色谱柱
我/o 电路
商店
召回
我/o
1
我/o
2
我/o
3
我/o
4
cs
我们
一个
7
一个
6
一个
5
阵列
召回
商店
一个
0
一个
2
一个
4
一个
1
一个
3
1k 有点
X22C12
256 x 4
功能 图表 管脚 配置
塑料 倾角
cerdip
一个
7
一个
4
一个
3
一个
2
一个
1
一个
0
cs
v
ss
商店
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18
17
16
15
14
13
12
11
10
v
抄送
一个
6
一个
5
我/o
4
我/o
3
我/o
2
我/0
1
我们
X22C12
召回
3817 fhd f02
SOIC
3815 fhd f10.1
A7
一个
4
一个
3
一个
2
一个
1
一个
0
cs
v
ss
商店
召回
1
v
抄送
一个
6
一个
5
我/o
4
nc
nc
我/o
3
我/o
2
我/o
1
我们
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