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复合材料 晶体管
XN1509
硅 npn 外延 planer 晶体管
用于 高频 放大
■
特点
●
两个 元素 股份公司 进入 一个 包装.
(发射器-耦合 晶体管)
●
减少 的 这 安装 面积 和 总成 成本 由 一个 一半.
■
基本 零件 号码 的 元素
●
2SC4561
×
2 元素
■
绝对 最大值 额定值
(助教=25˚c)
1 : 收集器 (tr1) 4 : 发射器
2 : 收集器 (tr2) 5 : 底座 (tr1)
3 : 底座 (tr2) eiaj : sc–74a
迷你 类型 pakage (5–pin)
单位: mm
标记 符号:
一个
内部 连接
参数 符号 额定值 单位
收集器 至 底座 电压
v
CBO
50 v
收集器 至 发射器 电压
v
CEO
50 v
发射器 至 底座 电压
v
EBO
5V
收集器 电流 我
c
50 ma
合计 电源 耗散
p
t
200 mW
接合点 温度
t
j
150 ˚C
存储 温度
t
stg
–55 至 +150 ˚C
评级
的
元素
总体
2.8
+0.2
-
0.3
1.50.65
±
0.15 0.65
±
0.15
15
4
3
2
1.45
±
0.1
0.95 0.95
1.9
±
0.10.8
+0.25
-
0.05
0.3
+0.1
-
0.05
0.16
0 至 0.1
+0.1
-
0.06
2.9
+0.2
-
0.05
1.1
+0.2
-
0.1
0.4
±
0.2
0.1 至 0.3
■
电气 特性
(助教=25˚c)
参数 符号 条件 最小 典型值 最大值 单位
收集器 至 底座 电压 v
CBO
我
c
= 10
µ
一个, 我
e?
= 0 50 v
收集器 至 发射器 电压 v
CEO
我
c
= 1ma, 我
B
= 0 50 v
发射器 至 底座 电压 v
EBO
我
e?
= 10
µ
一个, 我
c
= 0 5 v
收集器 截止 电流
我
CBO
v
cb
= 10v, 我
e?
= 0 0.1
µ
一个
我
CEO
v
ce
= 10v, 我
B
= 0 100
µ
一个
前进 电流 转让 比率 h
铁
v
ce
= 10v, 我
c
= 2ma 200 500
前进 电流 转让 h
铁
比率
h
铁
(小/大型)
*1
v
ce
= 10v, 我
c
= 2ma 0.5 0.99
收集器 至 发射器 饱和度 电压
v
ce(sat)
我
c
= 10ma, 我
B
= 1ma 0.06 0.3 v
过渡 频率 f
t
v
cb
= 10v, 我
e?
= –2ma, f = 200mhz 250 MHz
收集器 输出 电容 c
ob
v
cb
= 10v, 我
e?
= 0, f = 1mhz 1.5 pf
*1
比率 之间 2 元素
51
Tr2
Tr1
4
32
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