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复合材料 晶体管
XN421N
硅 npn 外延 planer 晶体管
用于 开关/数字 电路
■
特点
●
两个 元素 股份公司 进入 一个 包装.
(晶体管 与 内置 电阻)
●
减少 的 这 安装 面积 和 总成 成本 由 一个 一半.
■
基本 零件 号码 的 元素
●
UN221N
×
2 元素
■
绝对 最大值 额定值
(助教=25˚c)
1 : 收集器 (tr1) 4 : 收集器 (tr2)
2 : 底座 (tr2) 5 : 底座 (tr1)
3 : 发射器 (tr2) 6 : 发射器 (tr1)
eiaj : sc–74
迷你 类型 包装 (6–pin)
单位: mm
标记 符号:
FK
内部 连接
参数 符号 额定值 单位
收集器 至 底座 电压
v
CBO
50 v
收集器 至 发射器 电压
v
CEO
50 v
收集器 电流 我
c
100 ma
合计 电源 耗散
p
t
300 mW
接合点 温度
t
j
150 ˚C
存储 温度
t
stg
–55 至 +150 ˚C
评级
的
元素
总体
■
电气 特性
(助教=25˚c)
参数 符号 条件 最小 典型值 最大值 单位
收集器 至 底座 电压 v
CBO
我
c
= 10
µ
一个, 我
e?
= 0 50 v
收集器 至 发射器 电压 v
CEO
我
c
= 2ma, 我
B
= 0 50 v
收集器 截止 电流
我
CBO
v
cb
= 50v, 我
e?
= 0 0.1
µ
一个
我
CEO
v
ce
= 50v, 我
B
= 0 0.5
µ
一个
发射器 截止 电流 我
EBO
v
eb
= 6v, 我
c
= 0 0.2 ma
前进 电流 转让 比率 h
铁
v
ce
= 10v, 我
c
= 5ma 80 400
收集器 至 发射器 饱和度 电压
v
ce(sat)
我
c
= 10ma, 我
B
= 0.3ma 0.25 v
输出 电压 高 水平 v
哦
v
抄送
= 5v, v
B
= 0.5v, 右
l
= 1k
Ω
4.9 v
输出 电压 低 水平 v
ol
v
抄送
= 5v, v
B
= 2.5v, 右
l
= 1k
Ω
0.2 v
输入 电阻 右
1
–30% 4.7 +30% k
Ω
电阻 比率 右
1
/右
2
0.1
过渡 频率 f
t
v
cb
= 10v, 我
e?
= –2ma, f = 200mhz 150 MHz
2.8
+0.2
–0.3
1.50.65
±
0.15 0.65
±
0.15
1
6
5
4
3
2
1.45
±
0.1
0.95 0.95
1.9
±
0.1
+0.25
–0.05
0.3
+0.1
–0.05
0.5
+0.1
–0.05
2.9
+0.2
–0.05
1.1
+0.2
–0.1
0.8
0.4
±
0.2
0 至 0.05
0.16
+0.1
–0.06
0.1 至 0.3
6
Tr2
Tr1
5
43
2
1
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