1
复合材料 晶体管
XP4215
硅 npn 外延 planer 晶体管
用于 开关/数字 电路
■
特点
●
两个 元素 股份公司 进入 一个 包装.
(晶体管 与 内置 电阻)
●
减少 的 这 安装 面积 和 总成 成本 由 一个 一半.
■
基本 零件 号码 的 元素
●
UN1215
×
2 元素
■
绝对 最大值 额定值
(助教=25˚c)
单位: mm
标记 符号:
8T
内部 连接
参数 符号 额定值 单位
收集器 至 底座 电压
v
CBO
50 v
收集器 至 发射器 电压
v
CEO
50 v
收集器 电流 我
c
100 ma
合计 电源 耗散
p
t
150 mW
接合点 温度
t
j
150 ˚C
存储 温度
t
stg
–55 至 +150 ˚C
评级
的
元素
总体
■
电气 特性
(助教=25˚c)
参数 符号 条件 最小 典型值 最大值 单位
收集器 至 底座 电压 v
CBO
我
c
= 10
µ
一个, 我
e?
= 0 50 v
收集器 至 发射器 电压 v
CEO
我
c
= 2ma, 我
B
= 0 50 v
收集器 截止 电流
我
CBO
v
cb
= 50v, 我
e?
= 0 0.1
µ
一个
我
CEO
v
ce
= 50v, 我
B
= 0 0.5
µ
一个
发射器 截止 电流 我
EBO
v
eb
= 6v, 我
c
= 0 0.01 ma
前进 电流 转让 比率 h
铁
v
ce
= 10v, 我
c
= 5ma 160 460
收集器 至 发射器 饱和度 电压
v
ce(sat)
我
c
= 10ma, 我
B
= 0.3ma 0.09 0.25 v
输出 电压 高 水平 v
哦
v
抄送
= 5v, v
B
= 0.5v, 右
l
= 1k
Ω
4.9 v
输出 电压 低 水平 v
ol
v
抄送
= 5v, v
B
= 2.5v, 右
l
= 1k
Ω
0.2 v
过渡 频率 f
t
v
cb
= 10v, 我
e?
= –2ma, f = 200mhz 150 MHz
输入 电阻 右
1
–30% 10 +30% k
Ω
1 : 发射器 (tr1) 4 : 发射器 (tr2)
2 : 底座 (tr1) 5 : 底座 (tr2)
3 : 收集器 (tr2) 6 : 收集器 (tr1)
eiaj : sc–88
s–mini 类型 包装 (6–pin)
2.1
±
0.1
0.2
±
0.05
0.650.65
2.0
±
0.10.9
±
0.1
0 至 0.1
1.25
±
0.1
0.425 0.425
1
2
3
6
5
4
0.2
±
0.1
0.7
±
0.1
0.2
0.12
+0.05
–0.02
1
Tr2
Tr1
2
34
5
6
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