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7/20/04
IRF3711ZPbF
IRF3711ZSPbF
IRF3711ZLPbF
HEXFET
电源 场效应晶体管
注释
通过
是 在 页 12
产品
益处
低 r
ds(在)
在 4.5v v
GS
过激-低 门 阻抗
全部地 典型 avalanche 电压
和 电流
高 频率 同步的 buck
转换器 为 计算机 处理器 电源
含铅的-自由
D
2
Pak
IRF3711ZS
至-220ab
IRF3711Z
至-262
IRF3711ZL
V
DSS
R
ds(在)
最大值
Qg
20V
6.0m
16nC
绝对 最大 比率
参数 单位
V
DS
流-至-源 电压 V
V
GS
门-至-源 电压
I
D
@ t
C
= 25°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
一个
I
D
@ t
C
= 100°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
I
DM
搏动 流 电流
P
D
@T
C
= 25°c
最大 电源 消耗 W
P
D
@T
C
= 100°c
最大 电源 消耗
直线的 减额 因素 w/°c
T
J
运行 接合面 和 °C
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒
挂载 torque, 6-32 或者 m3 screw
f
热的 阻抗
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况
i
––– 1.89 °c/w
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat greased 表面
f
0.50 –––
R
θ
JA
接合面-至-包围的
fiÃ
––– 62
R
θ
JA
接合面-至-包围的 (pcb 挂载)
gi
––– 40
10 lbf
y
在 (1.1n
y
m)
300 (1.6mm 从 情况)
-55 至 + 175
79
0.53
40
最大值
92
h
65
h
380
± 20
20
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