©2003 仙童 半导体 公司 rev. c, 8月 2003
ZTX749A
绝对 最大值 额定值
t
一个
=25
°
c
除非 否则 已注明
* 这些 额定值 是 限制 数值 以上 哪个 这 可维修性 的 任何 半导体 设备 将 是 受损.
备注:
1. 这些 额定值 是 基于 开启 一个 最大值 接合点 温度 的 150
°
c.
2. 这些 是 稳定 州 限制. 这 工厂 应该 是 咨询 开启 应用程序 涉及 脉冲 或 低 职责 循环 运营.
电气 特性
t
一个
=25
°
c 除非 否则 已注明
* 脉冲 测试一下: 脉冲 宽度
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2%
热 特性
t
一个
=25
°
c 除非 否则 已注明
符号 参数 值 单位
v
CEO
集电极-发射极 电压 -35 v
v
CBO
收集器-底座 电压 -45 v
v
EBO
发射器-底座 电压 -5 v
我
c
收集器 电流 - 连续 -2 一个
t
j
, t
stg
操作 和 存储 接合点 温度 范围 -55 ~ +150
°
c
符号 参数 测试一下 条件 最小值 最大值 单位
关 特性
BV
CEO
集电极-发射极 击穿 电压 我
c
= -10ma -35 v
BV
CBO
收集器-底座 击穿 电压 我
c
= -100
µ
一个-45v
BV
EBO
发射器-底座 击穿 电压 我
e?
= -100
µ
一个-5v
我
CBO
收集器 截止 电流 v
cb
= -30v
v
cb
= -30v, t
一个
= 100
°
c
-100
-10
不适用
µ
一个
我
EBO
发射器 截止 电流 v
eb
= -4v -100 不适用
开启 characteristics*
h
铁
直流 电流 增益 我
c
= -50ma, v
ce
= -2v
我
c
= -1a, v
ce
= -2v
我
c
= -2a, v
ce
= -2v
我
c
= -6a, v
ce
= -2v
70
100
75
15
300
v
ce
(sat) 集电极-发射极 饱和度 电压 我
c
= -1a, 我
B
= -100ma
我
c
= -2a, 我
B
= -200ma
-300
-500
mv
v
是
(sat) 基极-发射极 饱和度 电压 我
c
= -1a, 我
B
= -100ma -1.25 v
v
是
(开启) 基极-发射极 开启 电压 我
c
= -1a, v
ce
= -2v -1 v
小信号 特性
c
obo
输出 电容 v
cb
= -10v, 我
e?
= 0, f = 1mhz 100
p
f
f
t
过渡 频率 我
c
= -100ma, v
ce
= -5v
f = 100mhz
100
符号 参数 最大值 单位
p
d
合计 设备 耗散 1 w
右
θ
ja
热 电阻, 接合点 至 环境 125
°
c/w
ZTX749A
pnp 低 饱和度 晶体管
• 这个 设备 是 设计 与 高 电流 增益 和 低 饱和度
电压 与 收集器 电流 向上 至 2a 连续.
c
B
e?
至-226
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