km416c256d, km416v256d cmos dram
这个 是 一个 家庭 的 262,144 x 16 有点 快 第页 模式 cmos drams. 快 第页 模式 优惠 高 速度 随机 访问权限 的 记忆 细胞
内 这 相同 行. 电源 供应 电压 (+5.0v 或 +3.3v), 访问权限 时间 (-5,-6,-7), 电源 consumption(normal 或 低 power) 和
包装 类型(soj 或 tsop-二) 是 可选 特点 的 这个 家庭. 全部 的 这个 家庭 有cas-之前-ras刷新,ras-仅 刷新 和
隐藏 刷新 能力. 此外, 自刷新 操作 是 可用 入点 l-版本. 这个 256kx16 快 第页 模式 dram family 是
预制 使用 samsung's 高级 cmos 流程 至 实现 高 乐队-宽度, 低 电源 消费 和 高 可靠性.
它 将 是 已使用 作为 图形 记忆 单位 用于 微型计算机, 个人 计算机 和 便携式 机器.
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零件 标识
- km416c256d/dl (5v, 512k 参考.)
- km416v256d/dl (3.3v, 512k 参考.)
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快 第页 模式 操作
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2cas字节/wrod 阅读/写 操作
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cas-之前-ras刷新 能力
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ras-仅 和 隐藏 刷新 能力
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自刷新 能力 (l-ver 仅)
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ttl(5v)/lvttl(3.3v) 兼容 输入 和 产出
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早期 写 或 输出 启用 受控 写
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电子元件工业联合会 标准 引出线
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可用 入点 40-管脚 soj 400mil and44(40)-管脚
tsop(二) 400mil 软件包
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三倍 +5v
¡¾
10% 电源 供应(5v 产品)
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三倍 +3.3v
¡¾
0.3v 电源 供应(3.3v 产品)
控制
时钟
vbb 发电机
刷新 计时器
刷新 控制
刷新 计数器
行 地址 缓冲区
列. 地址 缓冲区
行 解码器
色谱柱 解码器
下部
数据 出点
缓冲区
ras
UCAS
LCAS
w
Vcc
vss
DQ0
至
DQ7
A0
.
.
A8
记忆 阵列
262,144 x16
细胞
samsung 电子产品 一氧化碳., 有限公司.
储备金 这 右侧 至
变更 产品 和 规格 无 通知.
256k x 16bit cmos 动态 ram 与 快 第页 模式
描述
特点
功能 块 图表
¡Ü
刷新 循环次数
零件
否.
v抄送
刷新
循环
刷新 期间
正常 l-ver
C256D 5V
512K 8ms 128ms
V256D 3.3v
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业绩 范围:
速度
tRAC tCAC trc tpc
Remark
-5 50ns 15ns 90ns 35ns 5v 仅
-6 60ns 15ns 10ns 40ns 5v/3.3v
-7 70ns 20ns 130ns 45ns 5v/3.3v
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活动 电源 耗散
速度 3.3v(512 参考.) 5v(512 参考.)
-5 - 605
-6 325 495
-7 290 440
单位 : mw
感觉 安培数 &放大器; 我/o
上部
数据 入点
缓冲区
上部
数据 出点
缓冲区
下部
数据 入点
缓冲区
DQ
8
至
DQ15
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