1
晶体管
2SD1149
硅 npn 外延 planer 类型
用于 低频 放大
■
特点
●
高 foward 电流 转让 比率 h
铁
.
●
低 收集器 至 发射器 饱和度 电压 v
ce(sat)
.
●
高 发射器 至 底座 电压 v
EBO
.
●
迷你 类型 包装, 允许 downsizing 的 这 设备 和
自动 插入 通过 这 胶带 填料 和 这 杂志
填料.
■
绝对 最大值 额定值
(助教=25˚c)
单位: mm
参数
收集器 至 底座 电压
收集器 至 发射器 电压
发射器 至 底座 电压
峰值 收集器 电流
收集器 电流
收集器 电源 耗散
接合点 温度
存储 温度
1:底座 电子元件工业联合会:to–236
2:发射器 eiaj:sc–59
3:收集器 迷你 类型 包装
2.8
+0.2
–0.3
1.5
+0.25
–0.05
0.65
±
0.15 0.65
±
0.15
3
1
2
0.950.95
1.9
±
0.2
0.4
+0.1
–0.05
1.1
+0.2
–0.1
0.8
0.4
±
0.2
0 至 0.1
0.16
+0.1
–0.06
1.45
0.1 至 0.3
2.9
+0.2
–0.05
符号
v
CBO
v
CEO
v
EBO
我
cp
我
c
p
c
t
j
t
stg
额定值
100
100
15
50
20
200
150
–55 ~ +150
单位
v
v
v
ma
ma
mW
˚C
˚C
■
电气 特性
(助教=25˚c)
参数
收集器 截止 电流
收集器 至 底座 电压
收集器 至 发射器 电压
发射器 至 底座 电压
前进 电流 转让 比率
收集器 至 发射器 饱和度 电压
过渡 频率
符号
我
CBO
我
CEO
v
CBO
v
CEO
v
EBO
h
铁
*
v
ce(sat)
f
t
条件
v
cb
= 60v, 我
e?
= 0
v
ce
= 60v, 我
B
= 0
我
c
= 10
µ
一个, 我
e?
= 0
我
c
= 1ma, 我
B
= 0
我
e?
= 10
µ
一个, 我
c
= 0
v
ce
= 10v, 我
c
= 2ma
我
c
= 10ma, 我
B
= 1ma
v
cb
= 10v, 我
e?
= –2ma, f = 200mhz
最小
100
100
15
400
典型值
0.05
100
最大值
100
1
1200
0.2
单位
不适用
µ
一个
v
v
v
v
MHz
标记 符号 :
1V
*1
h
FE1
等级 分类
等级 右 s
h
铁
400 ~ 800 600 ~ 1200
标记 符号 1VR 1VS
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