sot89 pnp 硅 平面
中 电源 晶体管
问题 3 – 二月 1996
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互补 类型 – bcx51 – bcx54
bcx52 – bcx55
bcx53 – bcx56
partmarking 详细信息 –
BCX51 – aa BCX52 – 不良事件 BCX53 – 啊
bcx51-10 – 交流电 bcx52-10 – ag bcx53-10 – ak
bcx51-16 – 广告 bcx52-16 – 上午 bcx53-16 – 铝
绝对 最大值 额定值.
参数 symbol BCX51 BCX52 BCX53 单位
收集器-底座 电压 v
CBO
-45 -60 -100 v
集电极-发射极 电压 v
CEO
-45 -60 -80 v
发射器-底座 电压 v
EBO
-5 v
峰值 脉冲 电流 我
厘米
-1.5 一个
连续 收集器 电流 我
c
-1 一个
电源 耗散 在 t
amb
=25°C p
tot
1W
操作 和 存储 温度 范围 t
j
:t
stg
-65 至 +150 °C
电气 特性 (在 t
amb
= 25°c 除非 否则 声明).
参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件.
收集器-底座 BCX53
击穿 bcx52
电压 BCX51
v
(br)cbo
-100
-60
-45
v
v
v
我
c
=-100
µ
一个
我
c
=-100
µ
一个
我
c
=-100
µ
一个
集电极-发射极 BCX53
击穿 bcx52
电压 BCX51
v
(br)ceo
-80
-60
-45
六
c
=-10ma*
我
c
=-10ma*
我
c
=-10ma*
发射器-底座
击穿 电压
v
(br)ebo
-5 v
我
e?
=-10
µ
一个
收集器 截止 电流 我
CBO
-0.1
-20
µ
一个
µ
一个
v
cb
=-30v
v
cb
=-30v, t
amb
=150°C
发射器 截止 电流 我
EBO
-20 不适用 v
eb
=-4v
集电极-发射极
饱和度 电压
v
ce(sat)
-0.5 v 我
c
=-500ma, 我
B
=-50ma*
基极-发射极
打开 电压
v
是(开启)
-1.0 v 我
c
=-500ma, v
ce
=-2v*
静态 前进 电流
转让 比率
h
铁
-10
-16
25
40
25
63
100
250
160
250
我
c
=-5ma, v
ce
=-2v*
我
c
=-150ma, v
ce
=-2v*
我
c
=-500ma, v
ce
=-2v*
我
c
=-150ma, v
ce
=-2v*
我
c
=-150ma, v
ce
=-2v*
过渡 频率 f
t
150 MHz 我
c
=-50ma, v
ce
=-10v,
f=100MHz
输出 电容 c
obo
25 pf v
cb
=-10v, f=1mhz
*measured 下 脉冲 条件. 脉冲 宽度=300
µ
s. 职责 循环
≤
2%
BCX51
BCX52
BCX53
c
c
B
e?
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