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特点
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单独 供应 用于 阅读 和 写: 2.7 至 3.6v
•
快 阅读 访问权限 时间 – 70 ns
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内部 程序 控制 和 计时器
•
部门 体系结构
– 一个 16k 字节数 引导 块 与 编程 上锁
– 两个 8k 字节数 参数 块
– 八 主 记忆 块 (一个 32k 字节数, 七 64k 字节数)
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快 擦除 循环 时间 – 7 秒
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逐字节 编程 – 30 µs/字节 典型
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硬件 数据 保护
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数据轮询 用于 结束 的 程序 检测
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低 电源 耗散
– 15 ma 活动 电流
– 50 µa cmos 备用 电流
•
典型 10,000 写 循环次数
描述
这 at49bv040a 是 一个 2.7-电压-仅 在系统内 可重新编程 闪光灯 记忆. 其
4 兆位 的 记忆y 是 有组织的 作为 524,288 字词 由 8 比特. 已制造 与
atmel’s 高级 非挥发性 cmos 技术, 这 设备 优惠 访问权限 次 至
70 ns 与 电源 耗散 的 只是 54 mw 结束 这 商业 温度 范围.
4-兆位
(512k x 8)
单独 2.7-电压
电池电压
™
闪光灯 记忆
AT49BV040A
rev. 3358a–flash–6/03
plcc 顶部 查看
管脚 配置
管脚 姓名 功能
a0 - a18 地址
ce
芯片 启用
oe 输出 启用
我们
写 启用
我/o0 - 我/o7 数据 输入/产出
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A7
A6
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A4
A3
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A1
A0
我/o0
A14
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A9
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oe
A10
ce
我/o7
4
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我/o1
我/o2
地
我/o3
我/o4
我/o5
我/o6
A12
A15
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A18
VCC
我们
A17
vsop 顶部 查看 (8 x 14 mm) 或
tsop 顶部 查看 (8 x 20 mm)
Type1
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我/o7
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我/o4
我/o3
地
我/o2
我/o1
我/o0
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A2
A3
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