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资料编号:809680
 
资料名称:BC849B
 
文件大小: 216K
   
说明
 
介绍:
NPN Silicon AF Transistors
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
zowie 技术 公司
概述 目的 晶体管
npn 硅
bc849b,c
1
2
1
2
3
3
sot-23
评级
符号
单位
特性
集电极-发射极 电压 v
CEO
30 Vdc
收集器-底座 电压 v
CBO
30 Vdc
发射器-底座 电压 v
EBO
5.0 Vdc
收集器 电流-连续
c
100 mAdc
特性
符号
最大值
单位
合计 设备 耗散 右前-5 板
(1)
t
一个
=25
o
c
降额 以上 25
o
c
p
d
225
1.8
mW
mw /
o
c
合计 设备 耗散 氧化铝 基材,
(2)
t
一个
=25
o
c
降额 以上 25
o
c
p
d
300
2.4
mW
mw /
o
c
热 电阻 接合点 至 环境 556
o
c / w
最大值 额定值
热 特性
电气 特性
(t
一个
=25
o
c 除非 否则 已注明)
关 特性
ja
热 电阻 接合点 至 环境 417
o
c / wr
ja
接合点 和 存储 温度
集电极-发射极 breakdowe 电压
( 我
c
=10 ua, v
eb
=0 )
收集器-底座 breakdowe 电压
( 我
c
=10 ua )
集电极-发射极 breakdowe 电压
( 我
c
=10ma )
发射器-底座 breakdowe 电压
( 我
e?
=1.0 ua )
符号
v
(br)消费电子展
v
(br)ceo
v
(br)cbo
v
(br)ebo
CBO
最小值
30
30
30
5.0
-
-
最大值
-
-
-
-
15
5.0
典型值
-
-
-
-
-
-
单位
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
nAdc
uAdc
收集器 截止 电流
( v
cb
=30 v )
( v
cb
=30 v, t
一个
= 150
o
c )
-55 至 +150
o
ct
j,
t
stg
zowie 技术 corporationrev. : 0
发射器
底座
收集器
(1) 右前-5=1.0
x
0.75
x
0.062in.
(2) 氧化铝=0.4
x
0.3
x
0.024in. 99.5% 氧化铝.
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