1
特性
•
单独的 电压 运作
– 5v 读
– 5v reprogramming
•
快 读 进入 时间 - 70 ns
•
内部的 程序 控制 和 计时器
•
8k 字节 激励 块 和 lockout
•
快 擦掉 循环 时间 - 10 秒
•
字节 用 字节 程序编制 - 10
µ
µµ
µ
s/字节
•
硬件 数据 保护
•
数据polling 为 终止 的 程序 发现
•
低 电源 消耗
– 30 毫安 起作用的 电流
– 100
µ
µµ
µ
一个 cmos 备用物品 电流
•
典型 10,000 写 循环
描述
这 at49f512 是 一个 5-volt-仅有的 在-系统 可编程序的 和 可擦掉的 flash 记忆.
它的 512k 的 记忆 是 有组织的 作 65,536 words 用 8 位. 制造的 和
atmel’s 先进的 nonvolatile cmos 技术, 这 设备 提供 进入 时间 至 70
ns 和 一个 电源 消耗 的 just 165 mw 在 这 商业的 温度 范围.
当 这 设备 是 deselected, 这 cmos 备用物品 电流 是 较少 比 100
µ
一个.
至 准许 为 简单的 在-系统 reprogrammability, 这 at49f512 做 不 需要 高
输入 电压 为 程序编制. five-volt-仅有的 commands 决定 这 读 和
程序编制 运作 的 这 设备. 读 数据 输出 的 这 设备 是 类似的 至
读 从 一个 非易失存储器. reprogramming 这 at49f512 是 执行 用 erasing 这
全部 512k 的 记忆 和 然后 程序编制 在 一个 字节 用 字节 基准. 这 典型
字节 程序编制 时间 是 一个 快 10
µ
s. 这 终止 的 一个 程序 循环 能 是 optionally
rev. 1027c–09/98
512k (64k x 8)
5-volt 仅有的
flash 记忆
在49F512
512k (64k x 8)
5-volt 仅有的
cmos flash
记忆
管脚 配置
管脚 名字 函数
a0 - a15 地址
CE
碎片 使能
OE
输出 使能
我们 写 使能
i/o0 - i/o7 数据 输入/输出
NC 非 连接
插件 顶 视图
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
NC
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
i/o0
i/o1
i/o2
地
VCC
我们
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
i/o7
i/o6
i/o5
i/o4
i/o3
plcc 顶 视图
5
6
7
8
9
10
11
12
13
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
i/o0
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
i/o7
4
3
2
1
32
31
30
14
15
16
17
18
19
20
i/o1
i/o2
地
i/o3
i/o4
i/o5
i/o6
A12
A15
NC
NC
VCC
我们
NC
vsop 顶 视图 (8 x 14 mm) 或者
tsop 顶 视图 (8 x 20 mm)
类型 1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A11
A9
A8
A13
A14
NC
我们
VCC
NC
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
OE
A10
CE
i/o7
i/o6
i/o5
i/o4
i/o3
地
i/o2
i/o1
i/o0
A0
A1
A2
A3
(持续)
: 点此下载
