128k x 8 高速 cmos 非易失存储器
传真 id: 3023
CY27H010
柏树 半导体 公司
• 3901 北 第一 街道 • San Jose • ca 95134 • 408-943-2600
8月 1994 – 修订 march 1997
1cy 2 7h0 10
特点
• cmos 用于 最佳 速度/电源
• 高 速度
—t
AA
= 25 ns 最大值 (商业)
—t
AA
= 35 ns 最大值 (军事)
• 低 电源
— 275 mw 最大值
— 较少 比 85 mw 当 取消选择
• 字节宽 记忆 组织机构
• 100% 可重新编程 入点 thewindowed 包装
• 非易失存储器 技术
• 有能力 的 承受 >2001v 静态 放电
• 可用 入点
— 32-管脚 plcc
— 32-管脚 tsop-我
— 32-管脚, 600-密耳 塑料 或 密封 倾角
— 32-管脚 密封 lcc
功能 描述
这 cy27h010 是 一个 高性能mance, 1-兆位 cmos
非易失存储器 有组织的 入点 128 千字节. 它 是 可用 入点 印度河-
try-标准 32-管脚, 600-密耳 倾角, lcc, plcc, 和 tsop-i
软件包. 这些 设备报价 高密度 存储 com-
组合 与 40-mhz 业绩. 这 cy27h010 是 可用
入点 窗口化 和 不透明 软件包. 窗口化 packages 铝-
低 这 设备 至 是 已擦除 与 uv 灯光用于 100% re-
可编程性.
这 cy27h010 是 配备与 一个掉电 芯片 启用
(ce
) 输入 和 输出 启用 (oe). 当 ce是 deasserted,
这 设备 权力 向下 至 一个低功耗 备用模式. 这
oe
管脚 三个国家 这 产出 无 推杆 这 设备 进入
备用 模式. 同时 ce
优惠 下部 电源, oe提供 一个
更多 快速 过渡 至 和 从 三态 产出.
这 记忆 细胞利用经过验证 非易失存储器 浮栅 技术-
ogy 和 字节宽 智能 编程 算法. 这
非易失存储器 细胞 需要 仅 12.75 v 用于 这supervoltage 和
低 编程 电流 允许 用于 帮派 编程. 这
设备 允许 用于 每个 记忆 位置 至 是 已测试 100%,
因为 每个位置 是 书面 至, 已擦除, 和 反复
行使 之前 至 封装. 每个 设备 是 也 已测试
用于 交流电 业绩 至 保函 那 这 产品 将 满足 直流
和 交流电 规格 限制 之后 客户 编程.
这 cy27h010 是 阅读 由 断言 两者都有 这 ce
和 这 oe
输入. 这 内容 的 这 记忆 位置 已选择 由 这
地址 开启 输入 一个
16
–A
0
将 出现 在 这 产出 o
7
–O
0
.
逻辑 块 图表
管脚 配置
1
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倾角
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地
一个
16
一个
15
一个
12
一个
7
一个
6
一个
5
一个
4
一个
3
一个
14
v
抄送
PGM
一个
13
一个
8
一个
9
o
7
o
6
o
5
o
4
一个
2
v
pp
o
0
o
1
o
2
ce
oe
一个
10
o
3
一个
1
一个
0
一个
11
nc
H010–1
H010–2
12
o
0
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一个
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一个
6
一个
5
一个
4
一个
3
一个
2
一个
1
一个
10
一个
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一个
8
一个
9
oe
ce
o
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lcc/plcc
一个
14
一个
11
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32
H010–3
一个
0
可编程
阵列
o
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o
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o
4
o
3
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5
o
6
地址
解码器
一个
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一个
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一个
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一个
3
一个
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一个
5
一个
6
一个
8
一个
7
多plexer
一个
9
一个
10
一个
11
一个
12
一个
13
一个
14
一个
15
一个
16
输出 启用
解码器
ce
oe
电源 向下
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