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资料编号:816064
 
资料名称:CY27H512-55JC
 
文件大小: 782K
   
说明
 
介绍:
64K x 8 High-Speed CMOS EPROM
 
 


: 点此下载
 
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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备注:
1. 用于 lcc/plcc 仅: 针脚 1 17 普通 系紧 模具 atĆ
tach 衬垫. 他们 应该 已使用.
柏树 半导体 公司
d
3901 第一 街道
d
San Jose
d
ca95134
d
408-943-2600
十一月 1994
初步
CY27H512
64K x 8 HighĆSpeed CMOS
非易失存储器
逻辑 图表
管脚 配置
特点
d
CMOS 用于 最佳 速度/电源
d
速度
Ċ
t
AA
= 25 ns 最大值 (商业)
Ċ
t
AA
= 35 ns 最大值 (军事)
d
电源
Ċ
275 mW 最大值
Ċ
较少 85 mW 取消选择
d
ByteĆwide 记忆 组织机构
d
100% 可重新编程 入点
窗口化 包装
d
非易失存储器 技术
d
有能力 承受 >2001v
静态 放电
d
可用 入点
Ċ
32Ćpin PLCC
Ċ
28Ćpin TSOPĆI
Ċ
28Ćpin, 600Ćmil 塑料
密封 倾角
Ċ
32Ćpin 密封 LCC
功能 描述
CY27H512 一个 highĆperformance,
512K CMOS 非易失存储器 有组织的 入点 64
千字节. 可用入点 industryĆstandard
28Ćpin, 600Ćmil 倾角, 32Ćpin LCC
plcc, 28Ćpin TSOPĆI 软件包.
这些 设备 报价 highĆdensity 存储
合并40ĆMHz业绩.
CY27H512 可用 入点 窗口化
不透明软件包.窗口化 软件包alĆ
设备 已擦除 UV 灯光
用于 100% 可重新编程性.
CY27H512 配备 一个 powerĆ
向下 芯片 启用 (ce) 输入 输出
启用 (oe). ce 取消断言,
设备 权力 向下 一个 lowĆpower standĆ
模式. oe
管脚 threeĆstates outĆ
看跌期权 推杆 设备 进入 standĆ
模式. 同时 ce
优惠 下部 电源,
oe提供一个更多快速过渡
threeĆstated 产出.
记忆 细胞 利用 经过验证 非易失存储器
floatingĆgate 技术 byteĆwide
telligent 编程 算法.
非易失存储器 细胞 需要 12.75 v 用于
超电压 编程 curĆ
租金允许用于帮派编程.deĆ
允许 用于 每个 记忆 位置
已测试100%,因为每个位置writĆ
至, 已擦除, 反复 行使
之前 封装. 每个 设备
已测试 用于 交流电 业绩 保函
产品 满足 直流 交流电
规格 限制 之后 客户 proĆ
gramming.
CY27H512 阅读 断言 两者都有
ce
oe输入.内容
记忆 位置 已选择 adĆ
连衣裙 开启 输入 一个
15
-一个
0
出现
产出 o
7
-o
0
.
顶部 查看
倾角
H512Ć1
H512Ć2
顶部 查看
H512Ć3
可编程
阵列
o
0
o
1
o
7
o
2
o
4
o
3
o
5
o
6
地址
解码器
一个
0
一个
1
一个
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一个
3
一个
4
一个
5
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8
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7
多路复用器
一个
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一个
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一个
11
一个
12
一个
13
一个
14
一个
15
输出 启用
解码器
ce
oe
电源 向下
1
2
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4
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6
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3
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2
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1
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0
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o
2
v
抄送
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一个
6
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13
du
du
lcc/plcc
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