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资料编号:81646
 
资料名称:M74HCT368M1R
 
文件大小: 248.03K
   
说明
 
介绍:
HEX BUS BUFFER 3-STATE HCT367 NONINVERTING, HCT368 INVERTING
 
 


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m54/m74hct367
m54/m74hct368
二月 1993
HCT367 反转, HCT368 反转
十六进制 总线 缓冲区 (3-州)
B1R
(塑料 包装)
订单 代码 :
M54HCTXXXF1R M74HCTXXXM1R
M74HCTXXXB1R M74HCTXXXC1R
F1R
(陶瓷 包装)
M1R
(微型 包装)
C1R
(芯片 承运人)
管脚 连接
(顶部 查看)
HCT368
HCT367
描述
.
速度
t
pd
= 11 ns (典型值.) v
抄送
=5V
.
电源 耗散
抄送
=4
µ
一个 (最大值.) t
一个
=25
°
c
.
兼容 TTL 产出
v
ih
= 2V (最小.) v
il
= 0.8v (最大值)
.
输出 驱动器 能力
15 LSTTL 荷载
.
对称 输出 阻抗
|I
|=I
ol
= 6 ma (最小.)
.
平衡式 传播 延误
t
PLH
=t
PHL
.
管脚 功能 兼容
54/74ls367/368
m54/74hct367 m54/74hct368
速度 CMOS 十六进制 总线 缓冲区 (3-州)
预制 入点 闸门 c
2
mos 技术. 他们
相同 速度 业绩 LSTTL
合并 CMOS 电源 消费.
这些 设备 包含 六个 缓冲区, 缓冲区
受控 一个 启用 输入 (g1) 其他 两个
缓冲区 受控 其他 启用 输入
(g2) ; 产出 每个 缓冲区 集团 已启用
G1 和/或 G2 输入 持有 低,
持有 这些 产出 已禁用
高-阻抗.
这些 产出 有能力 驾驶 向上 15 LSTTL
荷载. 设计师 一个 选择 非反相
产出 (hct367) 反转 产出 (hct368).
全部 输入 配备 保护 电路
反对 静态 放电 瞬态 超额 电压-
年龄.
这个 综合 电路 输入 输出 charac-
特征 完全 兼容 54/74 LSTTL
逻辑 家庭. m54/74hct 设备 设计
直接 接口 HSC
2
mos 系统 TTL
NMOS 组件. 他们 插头 入点 更换-
部分 用于 LSTTL 设备 给予 一个 减少
电源 消费.
全部 输入 配备 保护 电路
反对 静态 放电 瞬态 超额 电压-
年龄.
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