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EN29F512
rev. 一个, 问题 日期: 2003/10/20
特点
•
5.0v 操作 用于 阅读/写/擦除
运营
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快 阅读 访问权限 时间
- 45ns, 55ns, 70ns, 和 90ns
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部门 体系结构:
- 4 制服 扇区 的 16kbytes 每个
- 支架 已满 芯片 擦除
- 个人 部门 擦除 支持
- 部门 保护:
硬件 锁定 的 扇区 至 防止
程序 或 擦除 运营 内
个人 扇区
•
高 业绩 程序/擦除 速度
- 字节 程序 时间: 7µs 典型
- 部门 擦除 时间: 300ms 典型
- 芯片 擦除 时间: 1.5s 典型
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低 备用 电流
- 1µa cmos 备用 电流-典型
- 1ma ttl 备用 电流
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低 电源 活动 电流
- 12ma 典型 活动 阅读 电流
- 30ma 程序/擦除 电流
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电子元件工业联合会 标准 程序 和 擦除
命令
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电子元件工业联合会 标准
数据
轮询 和 切换
比特 功能
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单独 部门 和 芯片 擦除
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部门 取消保护 模式
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嵌入式 擦除 和 程序 算法
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擦除 挂起 / 简历 模式:
阅读 和 程序 另一个 部门 期间
擦除 挂起 模式
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0.23 µm 三金属 双聚
三重井 cmos 闪光灯 技术
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低 vcc 写 抑制 &指示灯; 3.2v
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100k 耐力 循环
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包装 选项
- 32-管脚 pdip
- 32-管脚 plcc
- 32-管脚 8mm x 20mm tsop (类型 1)
- 32-管脚 8mm x 14mm tsop (类型 1)
•
商业 和 工业 温度
范围
概述 描述
这 en29f512 是 一个 512-kbit, 电气 可擦除, 阅读/写 非挥发性 闪光灯 记忆. 有组织的
进入 64k 字节数 与 8 比特 按 字节, 这 512k 的 记忆 是 已安排 入点 四 制服 扇区 的
16kbytes 每个. 任何 字节 可以 是 编程 通常 入点 7µs. 这 en29f512 特点 5.0v
电压 阅读 和 写 操作, 与 访问权限 次 作为 快 作为 45ns 至 消除 这 需要 用于 等待
国家 入点 高性能 微处理器 系统.
这 en29f512 有 分开 输出 启用 (
oe
), 芯片 启用 (
ce
), 和 写 启用 (
我们
)
控件, 哪个 消除 总线 争用 问题. 这个 设备 是 设计 至 允许 要么 单独
部门 或 已满 芯片 擦除 操作, 在哪里 每个 部门 可以 是 单独 保护 反对
程序/擦除 运营 或 暂时 未受保护 至 擦除 或 公共关系图. 这 设备可以 维持 一个
最小值 的 100k 程序/擦除 循环次数 开启 每个 部门.
EN29F512
512 kbit (64k x 8-有点) 5v 闪光灯 记忆
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