rev:1.066/2000 1/15 © 1999, 千兆 半导体, 公司
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GS71116tp/j/u
64k x 16
1mb异步 sram
10,12, 15ns
3.3v vdd
中心vdd&放大器; vss
soj,TSOp, fp-bga
商业温度
工业温度
特点
•快 访问权限 时间:10, 12, 15ns
•cmos 低 电源 操作:100/85/70ma 在 最小值 循环 时间.
•单独 3.3v ± 0.3v 电源 供应
•全部 输入 和 产出 是 ttl 兼容
•字节 控制
•完全 静态 操作
•工业t温度 选项: -40° 至 85°c
•包装 线 向上
j:400mil,44管脚 soj 包装
tp:400mil,44管脚 tsop 类型 二 包装
u:6 mm x 8 mm好 变桨 球 网格 阵列 包装
描述
这 gs71116是 一个 高 速度 cmos 静态 ram 有组织的 作为
65,536-字词 由16-比特. 静态 设计 消除 这 需要 用于 exter-
nal 时钟 或 计时 频闪. 操作 开启 一个 单独 3.3v 电源 供应
和 全部 输入 和 产出 是 ttl 兼容. 这 gs71116是 可用-
能 入点一个6x8mm 好 变桨 bga 包装作为 井 作为 入点400 密耳 soj
和400 密耳 tsop 类型-二 包装s.
管脚 说明
SOJ64Kx 16 管脚 配置
好 变桨 bga64Kx 16 颠簸 配置
6mm x 8mm,0.75mm 颠簸 变桨
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符号 描述
一个0至 一个15
地址 输入
DQ1至 dq16 数据 输入/输出
ce 芯片 启用 输入
磅
下部 字节 启用 输入
(dq1 至 dq8)
ub
上部 字节 启用 输入
(dq9 至 dq16)
我们 写 启用 输入
oe 输出 启用 输入
vdd +3.3v 电源 供应
vss 接地
nc 否 连接
1 2 3 4 5 6
一个 磅 oe 一个0 一个1 一个2 nc
B DQ16 ub 一个3 一个4 ce DQ1
c DQ14 DQ15 一个5 一个6 DQ2 DQ3
d vss DQ13 nc 一个7 DQ4 vdd
e? vdd DQ12 nc nc DQ5 vss
f DQ11 DQ10 一个8 一个9 DQ7 DQ6
g DQ9 nc 一个10 一个11 我们 DQ8
h nc 一个12 一个13 一个14 一个15 nc
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
一个4
一个3
一个2
一个1
一个0
ce
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
vdd
vss
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
我们
一个15
一个14
一个13
一个5
一个6
一个7
oe
ub
磅
DQ16
DQ15
DQ14
DQ13
vss
vdd
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
nc
一个8
一个9
一个10
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22
24
23
一个12
一个11
44 管脚
SOJ
NCNC
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