钥匙 特点
5 电压 阅读, 程序, 和 擦除
– 最小化 系统级 电源 要求
高 业绩
– 访问权限 次 作为 快 作为 45 ns
低 电源 消费
– 20 ma 典型 活动 阅读 电流 入点 字节
模式, 28 ma 典型 入点 字 模式
– 30 ma 典型 程序/擦除 电流
– 5 µa 最大值 cmos 备用 电流
兼容 与 电子元件工业联合会 标准
– 包装, 引出线 和 命令-设置
兼容 与 这 单电源 闪光灯
设备 标准
– 提供 上级 无意 写
保护
部门 擦除 体系结构
– 引导 部门 体系结构 与 顶部 和
底部 引导 块 选项 可用
– 一个 16 kbyte, 两个 8 kbyte, 一个 32 kbyte
和 七 64 kbyte 扇区 入点 字节 模式
– 一个 8 kword, 两个 4 kword, 一个 16 kword
和 七 32 kword 扇区 入点 字 模式
– 一个 命令 可以 擦除 任何 组合 的
扇区
– 支架 已满 芯片 擦除
擦除 挂起/简历
– 暂时 暂停 一个 部门 擦除
操作 至 允许 数据 至 是 阅读 从, 或
编程 进入, 任何 部门 不 正在
已擦除
部门 保护
– 任何 组合 的 扇区 将 是
已锁定 至 防止 程序 或 擦除
运营 内 那些 扇区
临时 部门 取消保护
– 允许 变更 入点 已锁定 扇区
(需要 高 电压 开启 reset# 管脚)
内部 擦除 算法
– 自动 擦除 一个 部门, 任何
组合 的 扇区, 或 这 整个 芯片
内部 编程 算法
– 自动 程序 和 验证 数据
在 一个 指定 地址
快 程序 和 擦除 次
– 字节 编程 时间: 7 µs 典型
– 部门 擦除 时间: 1.0 秒 典型
– 芯片 擦除 时间: 11 秒 典型
data# 轮询 和 切换 状态 比特
– 提供 软件 确认 的
竣工 的 程序 或 擦除
运营
准备就绪/busy# 输出 (ry/by#)
– 提供 硬件 确认 的
竣工 的 程序 和 擦除
运营
100,000 程序/擦除 循环次数 最小值
空间 高效 包装
– 可用 入点 行业标准 44-管脚
psop 和 48-管脚 tsop 和 反向
tsop 软件包
修订 5.2, 将 2001
概述 描述
这 hy29f400 是 一个 4 兆位, 5 电压 仅 cmos
闪光灯 记忆 有组织的 作为 524,288 (512k) 字节数
或 262,144 (256k) 字词. 这 设备 是 提供 入点
行业标准 44-管脚 psop 和 48-管脚 tsop
软件包.
这 hy29f400 可以 是 编程 和 已擦除
在系统内 与 一个 单独 5-电压 v
抄送
供应. 国际米兰-
纳利 已生成 和 受规管 电压 是 专业版-
vided 用于 程序 和 擦除 运营, 所以 那
这 设备 是否 不 需要 一个 高 电压 电源
供应 至 执行 那些 功能. 这 设备 可以
也 是 编程 入点 标准 非易失存储器 专业版-
grammers. 访问权限 次 作为 快 作为 55 ns 结束
这 已满 操作 电压 范围 的 5.0 伏特 ± 10%
是 提供 用于 计时 兼容性 与 这 零
等待 州 要求 的 高 速度 micropro-
a[17:0]
18
CE#
OE#
RESET#
BYTE#
WE#
8
7
dq[7:0]
dq[14:8]
dq[15]/一个-1
ry/by#
逻辑 图表
HY29F400
4 兆位 (512kx8/256kx16) 5 仅电压 闪光灯 记忆
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