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12/7/04
HEXFET
电源 场效应晶体管
v
DSS
右
ds(开启)
最大值 q
g
12V 8.5m
Ω
27nC
备注
通过
是 开启 第页 9
参数 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
连接至壳体 ––– 1.7
右
θ
ja
交叉点到环境 (pcb 安装)* ––– 40 °c/w
右
θ
ja
交叉点到环境 ––– 110
热 电阻
绝对 最大值 额定值
符号 参数 最大值 单位
v
ds
漏源 电压 12 v
v
gs
栅极到源极 电压 ± 12 v
我
d
@ t
c
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 4.5v 84
我
d
@ t
c
= 100°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 4.5v 60
一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
320
p
d
@T
c
= 25°c 最大值 电源 耗散 88 w
p
d
@T
c
= 100°c 最大值 电源 耗散 44 w
线性 降额 因素 0.59 mw/°c
t
j
, t
stg
接合点 和 存储 温度 范围 -55 至 + 175 °C
应用程序
好处
超-低 闸门 阻抗
很 低 右
ds(开启)
完全 表征 雪崩 电压
和 电流
高 频率 3.3v 和 5v 输入 点-
的-荷载 同步 降压 转换器
电源 管理 用于 netcom,
计算 和 便携式 应用程序.
无铅
d-pak
我-pak
irlr3802 irlu3802
IRLR3802PbF
IRLU3802PbF
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