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m3–1/4
概述 目的 晶体管
npn 硅
最大值 额定值
BC847 BC848
评级
符号 BC846 BC850 BC849 单位
collector–emitter 电压 v
CEO
65 45 30 v
collector–base 电压 v
CBO
80 50 30 v
emitter–base 电压 v
EBO
6.0 6.0 5.0 v
收集器 电流 — 连续 我
c
100 100 100 mAdc
收集器 电流(峰值 值) 我
厘米
200 200 200 mAdc
发射器 电流(峰值 值) 我
em
200 200 200 mAdc
底座 电流(峰值 值) 我
BM
200 200 200 mAdc
焊接 特性
特性 符号 单位
焊料 热量 电阻 265 °C
可焊性 240 至 265 °C
热 特性
特性 符号 最大值 单位
合计 设备 耗散 fr– 5 板, (1) p
d
t
一个
= 25°c 225 mw
降额 以上 25°c 1.8 mw/°c
热 电阻, 接合点 至 环境 右
θθ
θθ
θ
ja
556 °c/w
合计 设备 耗散 p
d
氧化铝 基材, (2) t
一个
= 25°c 300 mw
降额 以上 25°c 2.4 mw/°c
热 电阻, 接合点 至 环境 右
θθ
θθ
θ
ja
417 °c/w
接合点 和 存储 温度 t
j
, t
stg
–55 至 +150 °C
设备 标记
bc846alt1 = 1a; bc846blt1 = 1b; bc847alt1 = 1e; bc847blt1 = 1f;
bc847clt1 = 1g; bc848alt1 = 1j; bc848blt1 = 1k; bc848clt1 = 1l
电气 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 已注明)
特性 符号 最小 典型值 最大值 单位
关 特性
collector–emitter 击穿 电压
bc846a,b 65 — —
(我
c
= 10 ma) bc847a,b,c, bc850b,c v
(br)ceo
45 — — v
bc848a,b,c, bc849b,c 30 — —
collector–emitter 击穿 电压
bc846a,b 80 — —
(我
c
= 10
µ
一个, v
eb
= 0) bc847a,b,c, bc850b,c v
(br)消费电子展
50 — — v
bc848a,b,c, bc849b,c 30 — —
collector–base 击穿 电压 bc846a,b 80 — —
(我
c
= 10
µ
一个) bc847a,b,c, bc850b,c v
(br)cbo
50 — — v
bc848a,b,c, bc849b,c 30 — —
emitter–base 击穿 电压 bc846a,b bc847a,b,c 6.0
(我
e?
= 1.0
µ
一个) bc848a,b,c, bc849b,c, v
(br)ebo
5.0
bc850b,c 5.0
收集器 截止 电流 (v
cb
= 30 v)
我
CBO
——15nA
(v
cb
= 30 v, t
一个
= 150°c) — — 5.0
µ
一个
1. fr–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 入点
2. 氧化铝 = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.
1
3
2
bc846alt1,blt1
bc847alt1,blt1
clt1 直通
bc850blt1,clt1
案例 318–08, 风格 6
sot–23 (to–236ab)
2
发射器
3
收集器
1
底座
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