K6R4004V1D
cmos sram
初步
rev 2.0
- 1 -
july 2004
文件 标题
1mx4 有点 高 速度 静态 ram(3.3v 操作).
操作 在 商业 和 工业 温度 范围.
修订 历史
这 附加 数据 床单 是 编制 和 已批准 由 samsung 电子产品. samsung 电子产品 一氧化碳., 有限公司. 储备金 这 右侧 至变更 这
规格. samsung 电子产品 将 评估 和 回复 至 你的 请求 和 提问 开启 这 参数 的 这个 设备. 如果你 有 任何 ques-
区域, 请 联系人 这 samsung 分支机构 办公室 近 你的 办公室, 呼叫 或 联系人 总部.
rev 否.
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rev. 0.1
rev. 1.0
rev. 0.3
rev. 1.0
rev. 2.0
Remark
初步
初步
初步
初步
决赛
决赛
历史
初始 释放 与 初步.
添加 低 ver.
变更 icc, isb 和 isb1
1. 正确 交流电 参数 : 阅读 &放大器; 写 循环 ma
2. 删除 低 ver.
3. 删除 数据 保留 特性
1. 删除 12ns,15ns 速度 垃圾桶.
2. 变更 icc 用于 工业 模式.
1. 添加 这 铅 免费 包装 类型.
项目 上一个 电流
我
抄送(商业)
8ns 110mA 80mA
10ns 90mA 65mA
12ns 80mA 55mA
15ns 70mA 45mA
我
抄送(工业)
8ns 130mA 100mA
10ns 115mA 85mA
12ns 100mA 75mA
15ns 85mA 65mA
我
SB
30mA 20mA
我
sb1(l-ver.)
0.5ma 1.2ma
项目 上一个 电流
我
抄送(工业)
8ns 100mA 90mA
10ns 85mA 75mA
草稿 数据
8月. 20. 2001
9月. 19. 2001
十一月 3. 2001
十一月.23. 2001
12月.18. 2001
july. 26, 2004
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