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特性
•
单独的 电压 运作
–5v 读
– 5v 程序编制
•
快 读 进入 时间 - 55 ns
•
内部的 擦掉/程序 控制
•
sector architecture
– 一个 8k words (16k 字节) 激励 块 和 程序编制 lockout
– 二 4k words (8k 字节) 参数 blocks
– 一个 240k words (480k 字节) 主要的 记忆 排列 块
•
快 sector 擦掉 时间 - 10 秒
•
字节-用-字节 或者 文字-用-文字 程序编制 - 10
µ
s 典型
•
硬件 数据 保护
•
数据polling 为 终止 的 程序 发现
•
低-电源 消耗
– 50 毫安 起作用的 电流
– 300
µ
一个 cmos 备用物品 电流
•
典型 10,000 写 循环
描述
这 at49f004(t) 和 at49f4096a(t) 是 5-volt, 4-megabit flash memories orga-
nized 作 524,288 words 的 8 位 各自 或者 256k words 的 16 位 各自. 制造的
和 atmel’s 先进的 nonvolatile cmos 技术, 这 设备 提供 进入 时间
至 55 ns 和 电源 消耗 的 just 275 mw. 当 deselected, 这 cmos 备用物品
电流 是 较少 比 300
µ
一个.
这 设备 包含 一个 用户-使能 “boot block” 保护 特性. 二 版本 的
这 特性 是 有: 这 at49f004/4096a locates 这 激励 块 在 最低 顺序
地址 (“bottom boot”); 这 at49f004t/4096at locates 它 在 最高的 顺序
地址 (“top boot”).
至 准许 为 简单的 在-系统 reprogrammability, 这 at49f004(t)/4096a(t) 做 不
需要 高 输入 电压 为 程序编制. 读 数据 输出 的 这 设备 是 类似的
至 读 从 一个 非易失存储器; 它 有 标准 ce
, oe, 和 我们 输入 至 避免 总线 con-
tention. reprogramming 这 at49f004(t)/4096a(t) 是 执行 用 第一 erasing 一个
4-megabit
(512k x 8/
256k x 16)
cmos flash
记忆
AT49F004
AT49F004T
AT49F4096A
AT49F4096AT
初步的
rev. 1167a–09/98
管脚 配置
管脚 名字 函数
a0 - a18 地址
CE
碎片 使能
OE
输出 使能
我们 写 使能
重置
重置
rdy/busy
准备好/busy输出
i/o0 - i/o14 数据 输入/输出
i/o15(一个-1)
i/o15 (数据 输入/输出, 文字 模式)
一个-1 (lsb 地址 输入, 字节 模式)
字节
选择 字节 或者 文字 模式
NC 非 连接
(持续)
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