1/20april 2002
M29W040B
4 mbit (512kb x8, uniform 块)
低 电压 单独的 供应 flash 记忆
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单独的 2.7 至 3.6v 供应 电压 为
程序, 擦掉 和 读 行动
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进入 时间: 55ns
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程序编制 时间
– 10µs 每 字节 典型
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8 uniform 64 kbytes 记忆 blocks
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程序/擦掉 控制
– embedded 字节 程序 algorithm
– embedded multi-块/碎片 擦掉 algorithm
– 状态 寄存器 polling 和 toggle 位
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擦掉 suspend 和 重新开始 模式
– 读 和 程序 另一 块 在
擦掉 suspend
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unlock 绕过 程序 command
– faster 生产/批 程序编制
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低 电源 消耗量
– 备用物品 和 自动 备用物品
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100,000 程序/擦掉 循环 每
块
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20 年 数据 保持
– defectivity 在下 1 ppm/年
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电子的 signature
– 生产者 代号: 20h
– 设备 代号: e3h
tsop32 (n)
8 x 20mm
plcc32 (k)
tsop32 (nz)
8 x 14mm
图示 1. 逻辑 图解
AI02953
19
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dq0-dq7
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CC
M29W040B
G
E
V
SS
8