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¡ 半导体
msm51v18165b/bsl
描述
这 msm51v18165b/bsl 是 一个 1,048,576-字
¥
16-有点 动态 ram 预制 入点 oki's 硅栅
cmos 技术. 这 msm51v18165b/bsl 达到 高 集成, 高速 操作, 和
低功耗 消费 因为 oki 制造商 这 设备 入点 一个 四联-图层 多晶硅/
双层 金属 cmos 流程. 这 msm51v18165b/bsl 是 可用 入点 一个 42-管脚 塑料 soj 或
50/44-管脚 塑料 tsop. 这 msm51v18165bsl (这 自刷新 版本) 是 特别 设计 用于
低功率 应用程序.
特点
• 1,048,576-字
¥
16-有点 配置
• 单独 3.3 v 电源 供应,
±
0.3 v 公差
• 输入 : lvttl 兼容, 低 输入 电容
• 输出 : lvttl 兼容, 3-州
• 刷新 : 1024 循环次数/16 ms, 1024 循环次数/128 ms (sl version)
• 快 第页 模式 与 edo, 阅读 修改 写 能力
•
cas
之前
ras
刷新, 隐藏 刷新,
ras
-仅 刷新 能力
•
cas
之前
ras
自刷新 能力 (sl 版本)
• 包装 选项:
42-管脚 400 密耳 塑料 soj (soj42-p-400-1.27)
(产品 : msm51v18165b/bsl-xxjs)
50/44-管脚 400 密耳 塑料 tsop
(tsopii50/44-p-400-0.80-k) (产品 : msm51v18165b/bsl-xxts-k)
xx 表示 速度 等级.
产品 家庭
¡ 半导体
msm51v18165b/bsl
1,048,576-字
¥
16-有点 动态 ram : 快 第页 模式 类型 与 edo
msm51v18165b/bsl-70
70 ns
124 ns
84 ns
504 mw
684 mw
家庭
访问权限 时间 (最大值.)
循环 时间
(最小.)
备用 (最大值.)
电源 耗散
msm51v18165b/bsl-50
t
RAC
50 ns
35 ns
t
AA
25 ns
20 ns
t
CAC
13 ns
20 ns
t
OEA
13 ns
msm51v18165b/bsl-60
60 ns
104 ns 576 mw
30 ns 15 ns 15 ns
操作 (最大值.)
1.8 mw/
0.72 mw (sl 版本)
e2g0087-17-41
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