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资料编号:875193
 
资料名称:NTP75N06
 
文件大小: 79K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET
 
 


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1
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8
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组件 行业, llc, 2004
8月, 2004 − rev. 2
1
出版物 订单 号码:
ntp75n06/d
ntp75n06, ntb75n06
电源 场效应晶体管
75 安培数, 60 伏特, n−channel
to−220 和 d
2
pak
设计 用于 低 电压, 高 速度 开关 应用程序 入点
电源 供应品, 转换器 和 电源 电机 控件 和 桥梁
电路.
特点
pb−free 软件包 是 可用
典型 应用程序
电源 供应品
转换器
电源 电机 控件
桥梁 电路
j
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
评级 符号 单位
drain−to−source 电压 v
DSS
60 Vdc
drain−to−gate 电压 (右
gs
= 10 m
) v
DGR
60 Vdc
gate−to−source 电压
− 连续
− non−repetitive (t
p
10 ms)
v
gs
v
gs
20
30
Vdc
排水管 电流
− 连续 @ t
一个
= 25
°
c
− 连续 @ t
一个
= 100
°
c
− 单独 脉冲 (t
p
10
s)
d
d
dm
75
50
225
adc
Apk
合计 电源 耗散 @ t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
合计 电源 耗散 @ t
一个
= 25
°
c
p
d
214
1.4
2.4
w
w/
°
c
w
操作 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
55 至
+175
°
c
单独 脉冲 drain−to−source 雪崩
能源 − 起动 t
j
= 25
°
c
(v
dd
= 50 vdc, v
gs
= 10 vdc, l = 0.3 mh
l(pk)
= 75 一个, v
ds
= 60 vdc)
e?
作为
844 mJ
热 电阻
− junction−to−case
− junction−to−ambient
jc
ja
0.7
62.5
°
c/w
最大值 铅 温度 用于 焊接
目的, 1/8
从 案例 用于 10 秒
t
l
260
°
c
最大值 额定值 是 那些 数值 超越 哪个 设备 损伤 可以 发生.
最大值 额定值 已应用 至 这 设备 是 个人 应力 限制 数值 (不
正常 操作 条件) 和 是 不 有效 同时. 如果 这些 限制
是 超过, 设备 功能 操作 是 不 默示, 损伤 将 发生
和 可靠性 将 是 受影响.
75 安培, 60 伏特
ds(开启)
= 9.5 m
N−Channel
d
s
g
TO−220
案例 221a
风格 5
1
2
3
4
75N06 = 设备 代码
一个 = 总成 位置
y = 年份
ww = 工作 周
75N06
AYWW
1
闸门
3
来源
4
排水管
2
排水管
75N06
AYWW
1
闸门
3
来源
4
排水管
2
排水管
d
2
pak
案例 418b
风格 2
标记
图表
2
3
4
请参见 详细 订购 和 装运 信息 入点 这 包装
尺寸 截面 开启 第页 5 的 这个 数据 工作表.
订购 信息
http://onsemi.com
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