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电源 晶体管
2sc5294, 2sc5294a
硅 npn triple diffusion mesa 类型
为 horizontal deflection 输出
■
特性
●
高 损坏 电压, 和 高 可靠性 通过 这 使用 的 一个
glass passivation layer
●
高-速 切换
●
宽 范围 的 safe 运作 (aso)
■
绝对 最大 比率
(ta=25˚c)
参数
集电级 至
根基 电压
集电级 至
根基 电压
集电级 至 发射级 电压
发射级 至 根基 电压
顶峰 集电级 电流
集电级 电流
根基 电流
集电级 电源
消耗
接合面 温度
存储 温度
标识
V
CBO
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
I
B
P
C
T
j
T
stg
比率
1500
1600
1500
1600
600
5
30
20
10
120
3.5
150
–55 至 +150
单位
V
V
V
V
一个
一个
一个
W
˚C
˚C
2SC5294
2SC5294A
2SC5294
2SC5294A
T
C
=25
°
C
Ta=25
°
C
■
电的 特性
(t
C
=25˚c)
参数
集电级 截止
电流
发射级 截止 电流
向前 电流 转移 比率
集电级 至 发射级 饱和 电压
根基 至 发射级 饱和 电压
转变 频率
存储 时间
下降 时间
标识
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
ce(sat)
V
是(sat)
f
T
t
stg
t
f
情况
V
CB
= 1000v, i
E
= 0
V
CB
= 1500v, i
E
= 0
V
CB
= 1600v, i
E
= 0
V
EB
= 5v, i
C
= 0
V
CE
= 5v, i
C
= 10a
I
C
= 10a, i
B
= 2.8a
I
C
= 10a, i
B
= 2.8a
V
CE
= 10v
I
C
= 12a, i
B1
= 2.4a, i
B2
= –4.8a
最小值
5
典型值
3
1.5
0.12
最大值
50
50
1
1
50
12
3
1.5
2.5
0.2
单位
µ
一个
毫安
µ
一个
V
V
MHz
µ
s
µ
s
2SC5294
2SC5294A
2SC5294
2SC5294A
单位: mm
1:根基
2:集电级
3:发射级
top–3e 全部 包装 包装
15.5
±
0.5
26.5
±
0.5
22.0
±
0.5
23.4
18.6
±
0.5
3.3
±
0.3
5.5
±
0.3
2.0
0.7
±
0.1
2.0 2.0 1.2 10.0
3.0
±
0.3
φ
3.2
±
0.1
4.5
5.45
±
0.3
123
5.45
±
0.3
1.1
±
0.1
2.0
±
0.2
4.0
5
°
5
°
5
°
5
°
5
°
5
°
0.7
±
0.1
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